[发明专利]一种单晶生长装置

权利要求书

1.一种单晶生长装置，其特征在于，包括坩埚、籽晶结构、加热件、导向组件和多孔石墨板；

所述坩埚的顶壁内侧配置成安装碳化硅碎晶片；

所述导向组件设置在所述坩埚内部；所述导向组件内部形成第一容腔，所述籽晶结构设置在所述第一容腔的底壁；所述导向组件的外侧壁和所述坩埚的内侧壁共同形成第二容腔，所述第二容腔用于装盛碳化硅，所述第二容腔具有朝向所述坩埚的顶壁的开口；所述第一容腔和所述第二容腔通过所述开口连通；

所述加热件设置在所述坩埚的外侧；所述加热件包括第一加热部、第二加热部、第三加热部和第四加热部；所述第一加热部和所述第二加热部均靠近所述坩埚的外侧壁设置，所述第一加热部和所述第二加热部配置成向所述坩埚的侧壁提供热量；所述第三加热部和所述第四加热部均对应所述坩埚的顶部设置，所述第三加热部和所述第四加热部配置成向所述坩埚的顶壁提供热量；

所述多孔石墨板安装在所述第二容腔内部，且配置成供气态碳化硅穿过。

2.根据权利要求1所述的单晶生长装置，其特征在于，所述导向组件包括第一导向件、第二导向件和第三导向件；

所述第一导向件安装在所述坩埚的底壁上，且所述第三导向件内凹形成第一腔室，所述籽晶结构安装在所述第一腔室的底部；

所述第二导向件设置在所述第一导向件远离所述坩埚底壁的一侧，且所述第二导向件内部形成与所述第一腔室连通的第二腔室，所述第二导向件的外侧与所述坩埚的内侧壁共同形成所述第二容腔；所述多孔石墨板安装在所述第二导向件和所述坩埚内侧壁之间；

所述第三导向件设置在所述第二导向件远离所述第一导向件的一侧，所述第三导向件内部形成与所述第二腔室连通的第三腔室；所述第三导向件的外侧与所述坩埚内侧壁形成所述开口；所述第三腔室与所述开口连通；

所述第一腔室、所述第二腔室和所述第三腔室共同形成所述第一容腔。

3.根据权利要求2所述的单晶生长装置，其特征在于，所述第三导向件倾斜形成锥形，且使得第三腔室呈扩口状。

4.根据权利要求2所述的单晶生长装置，其特征在于，所述第一腔室包括连通的第一直筒段和第一扩口段；所述第一直筒段与所述第二腔室连通，所述第一扩口段的内径自靠近所述第一直筒段的一端至远离所述第一直筒段的一端逐渐减小。

5.根据权利要求2所述的单晶生长装置，其特征在于，所述第二腔室包括连通的第二直筒段和第二扩口段，所述第二直筒段与所述第三腔室连通，所述第二扩口段与所述第一腔室连通，所述第二扩口段的内径自靠近所述第一腔室的一侧至远离所述第一腔室的一侧逐渐减小。

6.根据权利要求2所述的单晶生长装置，其特征在于，所述第一加热部对应所述第一腔室设置，且配置成向所述第一腔室提供热量；所述第二加热部对应所述第二容腔设置，且配置成像所述第二容腔提供热量。

7.根据权利要求1所述的单晶生长装置，其特征在于，所述坩埚的顶壁的内侧具有相邻设置的第一区域和第二区域；所述第一容腔朝向所述第一区域设置，所述第二容腔朝向所述第二区域设置；

所述第二区域配置成安装所述碳化硅碎晶片。

8.根据权利要求7所述的单晶生长装置，其特征在于，所述第三加热部对应所述第二区域设置，且配置成向所述第二区域提供热量；所述第四加热部对应所述第一区域设置，且配置成向所述第一区域提供热量。

9.根据权利要求1-8中任意一项所述的单晶生长装置，其特征在于，所述导向组件设置在所述坩埚中部，且所述第二容腔环绕所述导向组件设置。

10.根据权利要求1-8中任意一项所述的单晶生长装置，其特征在于，所述多孔石墨板的外侧裹附设置有耐高温涂层。