[发明专利]一种阵列基板、显示面板和阵列基板的修复方法有效
申请号: | 202011615808.2 | 申请日: | 2020-12-30 |
公开(公告)号: | CN112599543B | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 王小东;余思慧 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L21/66 |
代理公司: | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人: | 邢涛 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示 面板 修复 方法 | ||
1.一种阵列基板,包括:
第一金属走线;以及
第二金属走线,设置在所述第一金属走线的下方,与所述第一金属走线之间设置有绝缘层;其特征在于,所述第一金属走线与所述第二金属走线之间具有重叠部,所述第一金属走线对应所述重叠部设置有镭射孔;
所述镭射孔作为所述第一金属走线和第二金属走线需要短路时的镭射熔接点;
所述镭射孔的孔径D,与所述第一金属走线对应所述重叠部的宽度W的关系为:0.5W≥D≥0.1W。
2.如权利要求1所述的一种阵列基板,其特征在于,所述镭射孔位于所述第一金属走线的中部,且贯穿所述第一金属走线。
3.如权利要求1所述的一种阵列基板,其特征在于,所述第一金属走线至少设置有两条且相互平行设置,所述第二金属走线至少设置有一条,所述第二金属走线分别与多条所述第一金属走线相互垂直且交错设置形成多个所述重叠部,所述重叠部设置有所述镭射孔;
所述镭射孔中的至少两个作为所述第一金属走线和第二金属走线需要短路时的镭射熔接点。
4.如权利要求3所述的一种阵列基板,其特征在于,所述第一金属走线为数据线或扫描线,所述第二金属走线为修复线,所述第二金属走线位于两条相邻设置的所述第一金属走线的部分为预备切断点。
5.如权利要求1所述的一种阵列基板,其特征在于,所述第一金属走线对应所述重叠部的线宽比所述第一金属走线的其他位置的线宽宽;所述第一金属走线对应所述重叠部的线宽W和所述第一金属走线其他位置的线宽W1的关系为:1.5W1≥W>W1;
和/或所述第二金属走线对应所述重叠部的线宽比所述第二金属走线的其他位置的线宽宽;所述第二金属走线对应所述重叠部的线宽W2和所述第二金属走线其他位置的线宽W3的关系为:1.5W3≥W2>W3。
6.如权利要求1所述的一种阵列基板,其特征在于,所述第一金属走线和第二金属走线平行设置,所述第一金属走线向所述第二金属走线方向凸出设置有第一凸出部,所述第二金属走线向所述第一金属走线方向凸出设置有第二凸出部,所述第一凸出部和第二凸出部在所述第一金属走线和第二金属走线之间重叠,形成所述重叠部,所述镭射孔设置在所述第一凸出部对应所述重叠部的位置。
7.一种阵列基板,包括:
第一金属走线;以及
第二金属走线,设置在所述第一金属走线的下方,与所述第一金属走线之间设置有绝缘层;其特征在于,所述阵列基板上设置有重叠部,所述阵列基板对应所述重叠部设置有镭射孔;所述第一金属走线和第二金属走线平行设置,所述阵列基板还包括第一预留部和第二预留部,所述重叠部包括第一重叠部、第二重叠部和第三重叠部;所述镭射孔包括第一镭射通孔和第二镭射通孔;所述第一预留部与第二金属走线同层形成,所述第二预留部与所述第一金属走线同层形成;
所述第一预留部的一端与所述第一金属走线部分重叠形成第一重叠部,另一端向所述第二金属走线方向延伸;所述第二预留部的一端与所述第二金属走线部分重叠形成第二重叠部,另一端向所述第一金属走线方向延伸,与所述第一预留部形成第三重叠部;
所述第一金属走线对应所述第一重叠部设置有所述第一镭射通孔,所述第二预留部对应所述第二重叠部设置有所述第二镭射通孔,所述第三重叠部处设置有过孔以将所述第一预留部和第二预留部导通;
所述第一镭射通孔和第二镭射通孔作为所述第一金属走线和第二金属走线需要短路时的镭射熔接点。
8.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-7任意一项所述的阵列基板,以及与所述阵列基板对盒设置的彩膜基板。
9.一种阵列基板的修复方法,用于修复如权利要求1-7任意一项所述的阵列基板,其特征在于,包括步骤:
当检测到第一金属走线发生断路时,确定断路位置;
根据断路位置,选定需要的镭射熔接点和镭射切断点;
使用镭射激光镭射镭射熔接点处,以在镭射熔接点处将第一金属走线与用于修复的第二金属走线短接;
使用镭射激光镭射镭射切断点处,将第二金属走线切断,以在镭射切断点处断开第一金属走线和第二金属走线的连接;
其中,所述镭射熔接点从所述镭射孔中选取,所述镭射切断点在所述第二金属走线与其他金属走线无重叠的位置选取。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的