[发明专利]一步磁控溅射沉积无机/有机交替混合结构超高阻隔膜的制备方法

权利要求书

1.一种一步磁控溅射沉积无机/有机交替混合结构超高阻隔膜的制备方法，其特征在于：在可弯曲的柔性原料卷上用无机物旋转靶材和有机物旋转靶材通过R2R一步法制备超高阻隔膜，通过控制旋转靶材的配比和R2R工艺，制备具有高阻水性能的柔性透明超高阻隔膜。

2.根据权利要求1所述的一步磁控溅射沉积无机/有机交替混合结构超高阻隔膜的制备方法，其特征在于：无机物旋转靶材为氧化铝、氧化硅、氧化钛、氮化硅或氮氧化铝中的一种或一种以上；有机物旋转靶材为聚四氟乙烯、碳纳米管掺杂聚四氟乙烯、石墨烯掺杂聚四氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯或聚酰亚胺中的一种或一种以上；柔性原料卷为PET、PI、PES、PDMS或柔性玻璃中的一种或一种以上；

步骤如下：

步骤1.可弯曲柔性原料卷通过开卷系统向R2R系统输送基板；

步骤2.基板在R2R系统的真空室加热到55～75℃除去表面湿气；然后通过驱动装置进入等离子轰击室，350～450w的功率暴露于Ar/O₂等离子体中，来改善薄膜之间的附着力；

步骤3.在R2R薄膜沉积系统腔室1，射频功率10-15KW,Ar流量200-400SCCM，N₂流量0-250SCCM，工作压力10mTorr；用无机物旋转靶材在柔性基板上沉积厚度50纳米的无机薄膜1；

步骤4.在R2R薄膜沉积系统腔室2，射频功率1-2KW，纯Ar流量350SCCM，工作压力10mTorr；用有机物旋转靶材在无机薄膜1上沉积厚度60纳米的有机薄膜2；

步骤5.在R2R薄膜沉积系统腔室3，射频功率10-15KW，Ar流量200-400SCCM，N₂流量0-250SCCM，工作压力10mTorr；用无机物旋转靶材在有机薄膜2上沉积厚度50纳米的无机薄膜3；

步骤6.在R2R薄膜沉积系统腔室4，射频功率1-2KW，纯Ar流量350SCCM，工作压力10mTorr；用有机物旋转靶材在无机薄膜3上沉积厚度60纳米的有机薄膜4；

步骤7.通过收卷系统对沉积的无机-有机连续多层膜的超高阻隔膜重新卷绕成卷；

步骤8.用MOCON水蒸气透过率分析仪和Agilent Cary-5000光谱仪对制备的超高阻隔膜的阻水性能和光透性能表征。

3.根据权利要求2所述的一步磁控溅射沉积无机/有机交替混合结构超高阻隔膜的制备方法，其特征在于：超高阻隔膜包括至少两个无机层；用的无机物旋转靶材还包括各种掺杂的复合无机旋转靶材。

4.根据权利要求2所述的一步磁控溅射沉积无机/有机交替混合结构超高阻隔膜的制备方法，其特征在于：超高阻隔膜包括至少两个有机层；有机旋转靶材还包括各种掺杂的复合有机旋转靶材。