[发明专利]氮化镓基发光二极管外延片的制造方法在审
| 申请号： | 202011618808.8 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112768570A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 曹阳;乔楠;梅劲;王群;吕蒙普 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 发光二极管 外延 制造 方法 | ||
1.一种氮化镓基发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、有源层和P型GaN层；
其中，循环以下步骤直至生长出厚度为50～100nm的所述P型GaN层：
向反应腔内持续通入氨气，在第一时间段内向反应腔内通入Ga源，在第二时间段内停止向反应腔内通入Mo源，在第三时间段内向反应腔内通入Mg源，在第四时间段内停止向反应腔内通入Mo源；
所述第一时间段、所述第二时间段、所述第三时间段和所述第四时间段为连续的四个时间段，所述第一时间段、所述第二时间段、所述第三时间段和所述第四时间段构成一循环周期。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一时间段、所述第二时间段、所述第三时间段和所述第四时间段的时长相等。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述第一时间段、所述第二时间段、所述第三时间段和所述第四时间段的时长均为10～30s。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述P型GaN层的总生长时长为T，3min≤T≤5min。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在第一时间段内向反应腔内通入Ga源，包括：
向反应腔内通入流量为500～800sccm的Ga源。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在第三时间段内向反应腔内通入Mg源，包括：
向反应腔内通入流量为100～300sccm的Mg源。
7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述向反应腔内持续通入氨气，包括：
向反应腔内持续通入流量为20-100L的氨气。
8.根据权利要求1至7任一项所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：
在生长所述P型GaN层时，向反应腔内持续通入氢气和氮气。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，向反应腔内通入的氢气的流量为20～100L。
10.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，向反应腔内通入的氮气的流量为20～100L。
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