[发明专利]一种基于谐振器的刻蚀终点检测系统和方法

权利要求书

1.一种基于谐振器的刻蚀终点检测系统，其特征在于，所述检测系统包括：

谐振器，被放置在刻蚀腔体中并与待刻蚀样品一起被刻蚀；

检测器，与所述谐振器相连接，用于检测并输出所述谐振器的参数；和

比较器，与所述检测器相连接，用于接收并比较所述谐振器的参数与预设值。

2.根据权利要求1所述的基于谐振器的刻蚀终点检测系统，其特征在于，

所述检测系统还包括人机接口，其与所述比较器相连接，用于向所述比较器提供预设值。

3.根据权利要求1所述的基于谐振器的刻蚀终点检测系统，其特征在于，

所述检测器包含：

采集电路，与所述谐振器相连接，用于采集并输出所述谐振器的谐振频率，和

转换电路，与所述采集电路和所述比较电路相连接，用于接收所采集的谐振器的谐振频率，获取所述谐振器的谐振频率的变化值并将所述谐振频率的变化值转换成所述谐振器的刻蚀深度值。

4.根据权利要求1所述的基于谐振器的刻蚀终点检测系统，其特征在于，

所述检测器包含：

采集电路，与所述谐振器相连接，用于采集所述谐振器的谐振频率，并获取和输出所述谐振器的谐振频率的变化值，和

转换电路，与所述采集电路和所述比较电路相连接，用于接收并转换所采集的谐振器的谐振频率的变化值转换成所述谐振器的刻蚀深度值。

5.根据权利要求1所述的基于谐振器的刻蚀终点检测系统，其特征在于，

所述谐振器的被刻蚀区域的材料与所述样品的材料相同。

6.根据权利要求1所述的基于谐振器的刻蚀终点检测系统，其特征在于，

所述谐振器包含被放置在其上的半导体薄膜材料。

7.根据权利要求1所述的基于谐振器的刻蚀终点检测系统，其特征在于，

所述谐振器包含被沉积在其上的半导体薄膜材料。

8.一种基于谐振器的刻蚀终点检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：

在刻蚀腔体中同时刻蚀谐振器与待刻蚀的样品；

检测所述谐振器的参数；和

比较所述谐振器的参数与预设值。

9.根据权利要求8所述的基于谐振器的刻蚀终点检测方法，其特征在于，

检测所述谐振器的参数，包括：

检测所述谐振器的频率变化值；和

将所述谐振器的频率变化值转换成所述谐振器的刻蚀深度值。

10.根据权利要求9所述的基于谐振器的刻蚀终点检测方法，其特征在于，

所述检测所述谐振器的频率变化值，包括：

在所述谐振器被刻蚀前，检测所述谐振器的初始谐振频率；和

在所述谐振器被刻蚀后，检测所述谐振器的谐振频率并得到谐振频率变化值。