[发明专利]无应力碳化硅籽晶固定装置、坩埚及碳化硅籽晶固定方法在审

专利信息
申请号: 202011619910.X 申请日: 2020-12-30
公开(公告)号: CN114686984A 公开(公告)日: 2022-07-01
发明(设计)人: 胡小波;徐南;张木青;杨祥龙;于国建;陈秀芳;王垚浩;徐现刚 申请(专利权)人: 广州南砂晶圆半导体技术有限公司
主分类号: C30B29/36 分类号: C30B29/36;C30B23/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 511400 广东省广州市南*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 应力 碳化硅 籽晶 固定 装置 坩埚 方法
【权利要求书】:

1.一种无应力碳化硅籽晶固定装置,其特征在于,包括籽晶托和籽晶盖,其中:

所述籽晶托为中部掏空的环形结构,沿其中轴线方向依次包括籽晶支撑部、籽晶容纳部、籽晶盖容纳部;

所述籽晶支撑部的内周形状与籽晶的外周形状相同,所述籽晶支撑部的中心至其小边的距离小于所述籽晶的中心至其小边的距离,所述籽晶支撑部的中心至其大边的距离小于所述籽晶的中心至其大边的距离,所述籽晶支撑部的内径小于所述籽晶的外径;

所述籽晶容纳部的内径大于所述籽晶的外径,所述籽晶容纳部的高度大于所述籽晶的厚度;

所述籽晶盖容纳部的内径与所述籽晶盖的外径相匹配,所述籽晶盖为可拆卸装入所述籽晶盖容纳部。

2.根据权利要求1所述的无应力碳化硅籽晶固定装置,其特征在于,所述籽晶容纳部的内周形状与所述籽晶的外周形状相同,所述籽晶容纳部的中心至其小边的距离大于所述籽晶的中心至其小边的距离,所述籽晶容纳部的中心至其大边的距离大于所述籽晶的中心至其大边的距离。

3.根据权利要求1所述的无应力碳化硅籽晶固定装置,其特征在于,所述籽晶盖容纳部的高度等于所述籽晶盖的厚度。

4.根据权利要求1所述的无应力碳化硅籽晶固定装置,其特征在于,所述籽晶盖容纳部的内径大于所述籽晶容纳部的内径。

5.根据权利要求1所述的无应力碳化硅籽晶固定装置,其特征在于,由所述籽晶盖容纳部至所述籽晶支撑部的方向,所述籽晶支撑部的内径逐渐增大。

6.根据权利要求1或5所述的无应力碳化硅籽晶固定装置,其特征在于,所述籽晶支撑部的高度为0.5~1mm。

7.根据权利要求1所述的无应力碳化硅籽晶固定装置,其特征在于,所述籽晶支撑部的中心至其小边的距离比所述籽晶的中心至其小边的距离小0.5~1mm,所述籽晶支撑部的中心至其大边的距离比所述籽晶的中心至其大边的距离小0.5~1mm,所述籽晶支撑部的内径比所述籽晶的外径小1~2mm。

8.根据权利要求2所述的无应力碳化硅籽晶固定装置,其特征在于,所述籽晶容纳部的中心至其小边的距离比所述籽晶的中心至其小边的距离大0.05~0.1mm,所述籽晶容纳部的中心至其大边的距离比所述籽晶的中心至其大边的距离大0.05~0.1mm,所述籽晶容纳部的内径比所述籽晶的外径大0.1~0.2mm,所述籽晶容纳部的高度比所述籽晶的厚度大0.2~0.5mm。

9.一种坩埚,其特征在于,所述坩埚的内壁上设置有支撑件,所述支撑件用于支撑权利要求1至8任一所述的无应力碳化硅籽晶固定装置。

10.一种碳化硅籽晶固定方法,其特征在于,利用权利要求1至8任一所述的无应力碳化硅籽晶固定装置,所述方法包括:

在籽晶的背部制备一层保护层;

将所述籽晶装入籽晶托的籽晶容纳部中,其中,所述籽晶和所述保护层的厚度之和小于所述籽晶容纳部的高度;

将籽晶盖装入所述籽晶托的籽晶盖容纳部。

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