[发明专利]一种可进行大批量生产的碳化硅半导体材料制备工艺

权利要求书

1.一种可进行大批量生产的碳化硅半导体材料制备工艺，其特征在于：具体包括以下步骤：

S1、先将待处理的碳化硅半导体材料放置于旋转式CVD反应装置中，然再密封反应装置；

S2、将反应物先被加热到一定温度，达到足够高的蒸汽压，再用载气送入步骤S1的旋转式CVD反应装置中，化学反应器中反应产物就会沉积到被涂物表面，废气被导向碱性吸收或冷阱；

S3、一批碳化硅半导体材料处理完成后，通过外部设备将罩体打开，取下处理完成后的半导体材料，并更换下一批待处理的半导体材料，重复步骤S1-S2，直至将全部碳化硅半导体材料处理完成为止；

其中，所述步骤S1和步骤S2中旋转式CVD反应装置，包括底座(1)以及底座(1)顶部通过开合组件(2)卡接安装的密封罩体(3)，所述底座(1)凸台的顶部通过支架固定安装有驱动组件(4)，且驱动组件(4)的两端均设置有转篮机构(5)，所述底座(1)的底部分别连通有进气管(6)和排气管(7)；

所述开合组件(2)包括顶部固定安装的安装盘(21)，所述安装盘(21)的顶部开设有安装通孔(22)，且安装通孔(22)的内壁开设有挤压槽(23)，所述挤压槽(23)内壁的顶部和底部均通过弹簧固定连接有弹板(24)，且两个弹板(24)远离弹簧的一侧均固定安装有电磁开关(25)，所述安装盘(21)的顶部开设有四个凹槽(26)，且安装通孔(22)的内部均通过粘合剂粘附有橡胶密封垫片(27)；

所述转篮机构(5)包括固定安装于固定安装于驱动组件(4)输出轴上的旋转架(51)，所述旋转架(51)上通过阻尼组件(52)转动连接有吊篮(53)，所述吊篮(53)的一侧设置有锁止组件(54)，且吊篮(53)内壁的一侧通过连接件固定安装有缓冲组件(55)，所述缓冲组件(55)的一端通过转动件转动连接有第一弧形夹板(56)，且吊篮(53)内壁的另一侧通过轴承转动连接有转杆(57)，所述转杆(57)的一端固定连接有第二弧形夹板(58)，且转杆(57)的另一端固定连接有限位盘(59)。

2.根据权利要求1所述的一种可进行大批量生产的碳化硅半导体材料制备工艺，其特征在于：所述缓冲组件(55)包括固定安装于吊篮(53)内壁上的套筒(551)，且套筒(551)的内部通过弹簧固定连接有T形缓冲杆(552)，所述T形缓冲杆(552)的一端通过轴承与第一弧形夹板(56)的一侧转动连接。

3.根据权利要求1所述的一种可进行大批量生产的碳化硅半导体材料制备工艺，其特征在于：所述阻尼组件(52)包括固定安装于旋转架(51)上的盒体(521)以及固定安装于吊篮(53)上的阻尼杆(522)，所述阻尼杆(522)的一端贯穿盒体(521)并延伸至盒体(521)的内部，且阻尼杆(522)延伸至盒体(521)内部的一端通过轴承与盒体(521)的内壁转动连接。

4.根据权利要求3所述的一种可进行大批量生产的碳化硅半导体材料制备工艺，其特征在于：所述阻尼杆(522)位于盒体(521)内部的外表面固定连接有阻尼板(523)，且盒体(521)的内部固定连接有挡片(524)，所述挡片(524)的一侧通过弧形阻尼扭簧(525)固定连接有拨片(526)，且拨片(526)能够在盒体(521)的内部滑动。

5.根据权利要求1所述的一种可进行大批量生产的碳化硅半导体材料制备工艺，其特征在于：所述锁止组件(54)包括固定安装于吊篮(53)上的限位盒(541)，所述限位盒(541)的内部通过弹簧固定安装有拉手(542)，且拉手(542)的一侧固定连接有两个与限位盘(59)相适配的限位杆(543)。

6.根据权利要求1所述的一种可进行大批量生产的碳化硅半导体材料制备工艺，其特征在于：所述驱动组件(4)包括通过L形连接架固定安装与底座(1)底部的驱动电机(41)以及通过安装架固定安装于底座(1)顶部的箱体(42)，所述驱动电机(41)的输出轴通过联轴器固定连接有驱动轴(43)，所述驱动轴(43)的顶端依次贯穿底座(1)和箱体(42)并延伸至箱体(42)的内部，且驱动轴(43)延伸至箱体(42)内部的一端固定连接有第一锥齿轮(44)，所述箱体(42)的内部通过轴承转动连接有传动轴(45)。