[发明专利]在存储器子系统中管理子块擦除操作

说明书

本申请案涉及在存储器子系统中管理子块擦除操作。存储器系统中的处理装置接收擦除存储在存储器装置的数据块处的数据的擦除请求，所述擦除请求识别所述数据块的多个子块中用于擦除的选定子块，所述多个子块中的每一个包括选择栅极装置SGD及数据存储装置。对于所述多个子块中未选定用于擦除的每一子块，所述处理装置在所述相应子块的位线处施加输入电压，且向所述相应子块的多个字线施加多个栅极电压，所述多个字线耦合到所述SGD及所述数据存储装置，施加到所述多个字线中的连续字线的所述多个电压中的每一电压比施加到前一字线的前一电压小等于降压区间的量。

技术领域

本公开的实施例大体来说涉及存储器子系统，且更具体来说，涉及管理存储器子系统中的子块擦除操作。

背景技术

存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置及易失性存储器装置。通常，主机系统可利用存储器子系统来将数据存储在存储器装置处并从存储器装置检索数据。

发明内容

在一个方面中，本申请案提供一种方法，其包括：接收擦除存储在存储器装置的数据块处的数据的擦除请求，所述擦除请求识别所述数据块的多个子块中用于擦除的选定子块，所述多个子块中的每一个包括一或多个选择栅极装置(SGD)及多个数据存储装置；对于所述多个子块中未选定用于擦除的每一子块：在所述相应子块的位线处施加输入电压；及将多个栅极电压施加到所述相应子块的多个字线，所述多个字线包括耦合到所述一或多个SGD的一或多个字线及耦合到所述多个数据存储装置中的第一子组的一或多个虚拟字线，其中施加到所述多个字线中的连续字线的所述多个栅极电压中的每一电压比施加到前一个字线的前一个电压小等于降压区间的量，且其中所述输入电压在用于存储主机数据的第一数据字线处降低到阈值电平；及执行擦除操作以擦除存储在所述选定子块处的数据。

在另一方面中，本申请案提供一种系统，其包括：存储器装置；及处理装置，其与所述存储器装置操作地耦合，以执行包括以下的操作：接收擦除存储在存储器装置的数据块处的数据的擦除请求，所述擦除请求识别所述数据块的多个子块中用于擦除的选定子块，所述多个子块中的每一个包括一或多个选择栅极装置(SGD)及多个数据存储装置；对于所述多个子块中未选定用于擦除的每一子块：在所述相应子块的位线处施加输入电压；及将多个栅极电压施加到所述相应子块的多个字线，所述多个字线包括耦合到所述一或多个SGD的一或多个字线及耦合到所述多个数据存储装置中的第一子组的一或多个虚拟字线，其中施加到所述多个字线中的连续字线的所述多个电压中的每一电压比施加到前一个字线的前一个电压小等于降压区间的量，且其中所述输入电压在用于存储主机数据的第一数据字线处降低到阈值电平；及执行擦除操作以擦除存储在所述选定子块处的数据。

在又一方面中，本申请案提供一种存储器装置，其包括：所述存储器装置的数据块的多个子块中的第一子块，所述第一子块包括用于擦除操作的选定子块，其中所述多个子块中的每一子块包括一或多个选定栅极装置(SGD)及多个数据存储装置；及所述存储器装置的所述数据块的所述多个子块中的第二子块，所述第二子块包括未选定用于所述擦除操作的子块，其中所述第二子块的多个字线经配置以在对所述选定子块执行的所述擦除操作期间接收不同栅极电压，所述多个字线包括耦合到所述第二子块的一或多个SGD的一或多个字线及耦合到所述第二子块的多个数据存储装置中的第一子组的一或多个虚拟字线，其中施加到所述多个字线中的连续字线的每一栅极电压比施加到前一个字线的前一个栅极电压小等于降压区间的量，其中栅极电压在用于存储主机数据的第一数据字线处降低到阈值电平。

附图说明

从下文给出的详细描述及从本公开的各种实施例的附图将更全面理解本公开。

图1根据本公开的一些实施例说明包含存储器子系统的实例计算系统。

图2为根据本公开的一些实施例说明存储器子系统中的存储器装置的数据块中的选择栅极装置及数据存储装置的框图。

图3为根据本公开的一些实施例说明在擦除操作期间使用装置串的栅极电压降压过程的图。