[发明专利]MEMS宽频带超声波换能器阵列有效
| 申请号： | 202011621958.4 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112845002B | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 吴国强;贾利成;石磊;孙成亮 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | B06B1/06 | 分类号： | B06B1/06 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 郑勤振 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mems 宽频 超声波 换能器 阵列 | ||
【权利要求书】：
1.一种MEMS超声波换能器阵列，其特征在于，包括一个或多个相同的换能器单元，每个所述换能器单元包括若干个具有不同调频结构的换能器，所述换能器单元中所述换能器周期性排列来增加换能器阵列的带宽，所述换能器单元中所述换能器之间的间距小于或者等于半个波长，所述调频结构设置在所述换能器顶电极层或底电极层上，并位于所述换能器零应变轴线内侧或外侧。
2.根据权利要求1所述的MEMS超声波换能器阵列，其特征在于，所述换能器单元之间在电学上相互并联。
3.根据权利要求1所述的MEMS超声波换能器阵列，其特征在于，所述调频结构设置在所述换能器顶电极层上时，所述顶电极层的顶电极位于换能器零应变轴线外侧，所述调频结构位于换能器零应变轴线内侧，或者所述顶电极层的顶电极位于换能器零应变轴线内侧，所述调频结构位于换能器零应变轴线外侧。
4.根据权利要求1所述的MEMS超声波换能器阵列，其特征在于，所述调频结构设置在所述换能器底电极层上时，所述底电极层的底电极位于换能器零应变轴线外侧，所述调频结构位于换能器零应变轴线内侧，或者所述底电极层的底电极位于换能器零应变轴线内侧，所述调频结构位于换能器零应变轴线外侧。
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