[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202011622315.1 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN113178412A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 陈威良;陈政贤;叶玉隆;庄字周;陈彦秀 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种形成半导体装置的方法，包括：
以第一速率在半导体衬底的沟槽中形成第一电绝缘体层；以及
以第二速率在所述第一电绝缘层上方形成第二电绝缘层，其中，所述第二速率小于所述第一速率。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一电绝缘体层包括形成氧化物层。
3.根据权利要求1所述的方法，包括：
在所述半导体衬底上形成介电层；以及
通过蚀刻所述介电层和所述半导体衬底形成所述沟槽。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一电绝缘体层包括：
以第三速率在所述半导体衬底上方沉积电绝缘材料；以及
以第四速率溅射-蚀刻所述第一电绝缘体层，
其中，所述第三速率与所述第四速率之比大于15/1。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二电绝缘体层包括：
以第三速率在所述第一电绝缘体层上方沉积电绝缘材料；以及
以第四速率溅射-蚀刻所述第二电绝缘体层，
其中，所述第三速率与所述第四速率之比小于7/1。
6.一种半导体装置，包括：
隔离结构，包括：
第一电绝缘体层，位于半导体衬底的沟槽中；和
第二电绝缘体层，位于所述沟槽中并且在所述第一电绝缘体层上方。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中：
所述第一电绝缘层具有可测量的物理特性，
所述第二电绝缘层具有所述可测量的物理特性，以及
所述第一电绝缘体层的所述可测量的物理特性的值不同于所述第二电绝缘体层的所述可测量的物理特性的值。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述可测量的物理特性是密度。
9.一种形成半导体装置的方法，包括：
在半导体衬底的沟槽中形成第一氧化物层，其中，所述第一氧化物层具有第一密度；以及
在所述沟槽中且在所述第一氧化物层的上方形成第二氧化物层，其中所述第二氧化物层具有第二密度，
其中，所述第二密度不同于所述第一密度。
10.根据权利要求9所述的方法，包括：
在所述沟槽中且在所述第二氧化物层上方形成第三氧化物层，其中，所述第三氧化物层具有不同于所述第二密度的第三密度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
