[发明专利]电磁场耦合高深宽比刻蚀硅基方法

权利要求书

1.电磁场耦合高深宽比刻蚀硅基方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、在硅基(1)上设置光刻胶模板(2)作为硅基(1)的掩膜，并在光刻胶模板(2)上放置催化剂层(3)，催化剂层由贵金属催化剂层(3-1)和磁性层(3-2)组成，贵金属催化剂层(3-1)位于磁性层(3-2)的上下两侧；

S2、在硅基(1)的下方放置电磁铁(6)，电磁铁(6)和磁性层(3-2)位于硅基(1)的相对两侧；

S3、在硅基(1)的上下两侧加设电极板(7)，并通入直流电源。

2.根据权利要求1所述的电磁场耦合高深宽比刻蚀硅基方法，其特征在于，所述贵金属催化剂层(3-1)为Au，磁性层(3-2)为Fe。

3.根据权利要求2所述的电磁场耦合高深宽比刻蚀硅基方法，其特征在于，所述贵金属催化剂层(3-1)和磁性层(3-2)在刻蚀前进行退火处理。

4.根据权利要求3所述的电磁场耦合高深宽比刻蚀硅基方法，其特征在于，所述贵金属催化剂层(3-1)和磁性层(3-2)截面尺寸相同。

5.根据权利要求4所述的电磁场耦合高深宽比刻蚀硅基方法，其特征在于，所述贵金属催化剂层(3-1)与磁性层(3-2)固定连接。

6.根据权利要求1所述的电磁场耦合高深宽比刻蚀硅基方法，其特征在于，所述光刻胶模板(2)和催化剂层(3)上均形成有注液孔(4)，光刻胶模板(2)和催化剂层上的注液孔(4)相连通。

7.根据权利要求6所述的电磁场耦合高深宽比刻蚀硅基方法，其特征在于，所述光刻胶模板(2)和催化剂层(3)上的注液孔(4)阵列分布。

8.根据权利要求1所述的电磁场耦合高深宽比刻蚀硅基方法，其特征在于，所述电极板(7)为钼材质，光刻胶模板(2)、催化剂层和电极板(7)平行设置。

9.根据权利要求1所述的电磁场耦合高深宽比刻蚀硅基方法，其特征在于，所述电磁铁(6)位置与磁性层(3-2)位置相对应，电磁铁(6)截面尺寸与磁性层(3-2)截面尺寸相一致，且磁性层(3-2)位于电磁铁(6)的竖直范围内。

10.根据权利要求1所述的电磁场耦合高深宽比刻蚀硅基方法，其特征在于，所述电极板(7)位置与磁性层(3-2)位置相对应，电极板(7)截面尺寸与磁性层(3-2)截面尺寸相一致，且磁性层(3-2)位于电极板(7)的竖直范围内。