[发明专利]基于化学发光的多元分析光子晶体芯片及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种基于化学发光的多元分析光子晶体芯片，其特征在于，包括芯片基底，所述芯片基底至少一侧表面设置有光子晶体微阵列，所述光子晶体微阵列包括两个以上的光子晶体位点；在至少一个所述光子晶体位点的表面设置有用于化学发光共振能量转移的特异性识别体。

2.根据权利要求1所述的多元分析光子晶体芯片，其中，所述光子晶体位点中的光子晶体为含有或不含有连接基团的光子晶体；

优选地，所述连接基团选自氨基、羧基、羟基、巯基中的至少一种；

优选地，所述光子晶体为蛋白石光子晶体、反蛋白石光子晶体、二维光子晶体中的至少一种；

优选地，所述光子晶体由光子晶体填充物质围成孔结构而形成；

优选地，所述光子晶体填充物质为纤维素酯；

优选地，所述孔结构的孔径为100-1000nm，更优选为100-800nm，进一步优选为100-400nm。

3.根据权利要求1或2所述的多元分析光子晶体芯片，其中，所述特异性识别体包括具有特异性识别功能的碱基序列，所述碱基序列的一端连接有受体物质；

优选地，所述碱基序列的另一端接枝在所述光子晶体位点上；

优选地，所述碱基序列为单链或双链的DNA碱基序列；

优选地，所述单链或双链的DNA碱基序列为可特异性识别癌症抗原的特异性DNA分子；

优选地，所述碱基序列选自用于检测PSA抗原的碱基序列、用于检测CA125抗原的碱基序列、用于检测AFP抗原的碱基序列、用于检测CEA抗原的碱基序列中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的多元分析光子晶体芯片，其中，所述受体物质选自半导体纳米晶、金属纳米晶和荧光染料标记分子中的至少一种；

优选地，所述半导体纳米晶和所述金属纳米晶各自独立地选自二氧化硅纳米晶体颗粒、二氧化钛纳米晶体颗粒、氧化锆纳米晶体颗粒、三氧化二铝纳米晶体颗粒、氧化锌纳米晶体颗粒、硫化锌纳米晶体颗粒、硫化镉量子点、硒化镉量子点、碲化镉量子点中的至少一种；

优选地，所述荧光染料标记分子选自罗丹明B、罗丹明6G、荧光素中的至少一种。

5.根据权利要求1-4中任意一项所述的多元分析光子晶体芯片，其中，至少一个所述光子晶体位点为空白位点；

优选地，所述芯片基底为表面具有基底膜的支撑基底；

优选地，所述基底膜选自聚二甲基硅氧烷、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯乙烯和聚丙烯中的至少一种；

优选地，所述支撑基底选自玻璃片、硅片、铝片中的一种。

6.一种制备权利要求1-5中任意一项所述的多元分析光子晶体芯片的方法，其特征在于，包括：

(1)在芯片基底上设置两个以上光子晶体位点以形成光子晶体微阵列，获得含有所述光子晶体微阵列的薄膜芯片；

(2)在所述薄膜芯片中，将至少一个光子晶体位点中光子晶体的表面设置特异性识别体；

优选地，所述特异性识别体接枝或者直接放置在所述光子晶体位点中光子晶体表面。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，该方法还包括采用含有如下步骤制备所述光子晶体微阵列：

(A)将至少两种含有模板材料的乳液分别与所述芯片基底表面进行接触以形成微阵列，然后进行第一干燥；其中，至少两种所述含有模板材料的乳液中的模板材料的粒子粒径不同；

(B)将光子晶体填充物质溶液与步骤(A)得到的微阵列中的模板材料进行接触并进行第二干燥，然后除去所述模板材料，获得光子晶体微阵列；

优选地，所述第一干燥的条件为：温度70-90℃，时间10-20min；

优选地，所述第二干燥的条件包括：温度为70-90℃，时间为1-10h；

优选地，所述光子晶体填充物质溶液的质量浓度为1-3％。