[发明专利]一种微纳光学器件制造方法在审

专利信息
申请号: 202011624409.2 申请日: 2020-12-31
公开(公告)号: CN112731763A 公开(公告)日: 2021-04-30
发明(设计)人: 张亮;赵辉;张国伟 申请(专利权)人: 嘉兴驭光光电科技有限公司
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00;G02B5/18
代理公司: 北京方可律师事务所 11828 代理人: 吴艳;郝东晖
地址: 314500 浙江省嘉*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 光学 器件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种微纳光学器件制造方法,包括:

将形成有第一微纳结构的第一基板按照第一预定尺寸切割,得到第一拼接用基板;

将形成有第二微纳结构的第二基板按照第二预定尺寸切割,得到第二拼接用基板,所述第二微纳结构不同于所述第一微纳结构;

将所述第一拼接用基板与所述第二拼接用基板拼接并固定在一起,得到拼接模版;

利用所述拼接模版转印得到形成有所述第一微纳结构和第二微纳结构的压印模版;以及

利用所述压印模版通过微纳米压印制造微纳光学器件。

2.如权利要求1所述的微纳光学器件制造方法,其中,所述第一微纳结构具有台阶状形貌,所述第二微纳结构具有曲面形貌。

3.如权利要求1所述的微纳光学器件制造方法,其中,所述第一微纳结构为对应于衍射光学元件结构的形貌,所述第二微纳结构为对应于微透镜阵列结构的形貌。

4.如权利要求1-3中任一项所述的微纳光学器件制造方法,还包括:

利用半导体光刻和刻蚀工艺在晶圆上形成所述第一微纳结构,并将该第一微纳结构转印到所述第一基板上,得到所述形成有第一微纳结构的第一基板;以及

利用灰度曝光工艺在光刻胶上形成所述第二微纳结构,并将该第二微纳结构转印到所述第二基板上,得到所述形成有第二微纳结构的第二基板。

5.如权利要求1-4所述的微纳光学器件制造方法,其中,所述第一基板与所述第二基板包括相同的硬质基底,并且/或者所述第一基板和所述第二基板均具有长条形形状。

6.如权利要求1所述的微纳光学器件制造方法,其中,在所述拼接模版中,所述第一拼接用基板上的第一微纳结构与所述第二拼接用基板上的第二微纳结构毗邻。

7.如权利要求6所述的微纳光学器件制造方法,其中,所述第一拼接用基板包括形成有所述第一微纳结构的多个第一区域,所述第二拼接用基板包括形成有所述第二微纳结构的多个第二区域,并且在所述拼接模版中,所述多个第一区域分别与所述多个第二区域中对应的一个毗邻。

8.如权利要求1、6或7所述的微纳光学器件制造方法,其中,所述拼接模版包括多个所述第一拼接用基板和多个所述第二拼接用基板。

9.如权利要求8所述的微纳光学器件制造方法,其中,所述拼接模版还包括形成有不同于所述第一微纳结构和第二微纳结构的其它微纳结构的其它拼接用基板。

10.如权利要求1所述的微纳光学器件制造方法,其中,所述利用所述拼接模版转印得到形成有所述第一微纳结构和第二微纳结构的压印模版包括:

利用所述拼接模版将所述第一微纳结构和第二微纳结构转印到柔性基材上,得到柔性的压印模版。

11.如权利要求10所述的微纳光学器件制造方法,其中,所述柔性基材为PDMS材料。

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