[发明专利]具有自动错误修复机制的存储器存储装置和其方法有效
申请号: | 202011625581.X | 申请日: | 2020-12-30 |
公开(公告)号: | CN113268373B | 公开(公告)日: | 2023-09-26 |
发明(设计)人: | 朴山河 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | G06F11/10 | 分类号: | G06F11/10;G11C16/08;G11C16/24;G11C29/42 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 朱颖;臧建明 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 自动 错误 修复 机制 存储器 存储 装置 方法 | ||
1.一种存储器存储装置,包括:
连接接口,配置成接收写入命令或读取命令以及与所述写入命令或读取命令相关联的字线地址;
存储器阵列,包括存储器库,所述存储器库包括错误校正码(ECC)检测器、由字线地址控制的多个存储器单元以及由冗余字线地址控制的多个冗余存储器单元;
熔丝熔断控制器,配置成接收所述字线地址以熔断所述字线地址的电熔丝以启动所述多个冗余存储器单元,以及
存储器控制电路,耦接到所述连接接口、所述存储器阵列以及所述熔丝熔断控制器,且配置成:
响应于接收所述写入命令或读取命令,对所述多个存储器单元执行写入操作或读取操作;
响应于检测来自所述写入操作或读取操作的错误,从所述错误校正码检测器接收故障指示;
响应于接收所述故障指示,熔断所述字线地址的所述电熔丝以启动所述多个冗余存储器单元;以及
响应于所述电熔丝已熔断,通过位线将数据从所述多个存储器单元传送到所述多个冗余存储器单元中。
2.根据权利要求1所述的存储器存储装置,其中通过所述位线将所述数据从所述多个存储器单元传送到所述多个冗余存储器单元中包括:
检测自动刷新命令;以及
通过将所述数据从感测放大器复制到所述多个冗余存储器单元中,将数据从所述多个存储器单元通过所述位线传送到所述多个冗余存储器单元中。
3.根据权利要求2所述的存储器存储装置,其中通过所述位线将所述数据从所述多个存储器单元传送到所述多个冗余存储器单元中还包括:
通过所述位线将所述数据从所述多个存储器单元传送到所述多个冗余存储器单元中,而无需通过数据线传送所述数据。
4.根据权利要求1所述的存储器存储装置,其中所述错误校正码检测器配置成:
执行错误校正码检查;
响应于所述错误校正码检查失败,修复与所述字线地址相关联的字线;以及
响应于未能修复所述数据,将所述故障指示发送到所述存储器控制电路。
5.根据权利要求4所述的存储器存储装置,其中响应于未能修复所述数据而将所述故障指示发送到所述存储器控制电路包括:
响应于未能修复所述数据,将所述字线地址和错误校正码故障标志发送到所述存储器控制电路。
6.根据权利要求5所述的存储器存储装置,其中所述熔丝熔断控制器进一步配置为:
发送指示熔断所述字线地址的所述电熔丝已完成的熔丝熔断标志。
7.根据权利要求6所述的存储器存储装置,其中所述存储器控制电路进一步配置成:
响应于接收所述熔丝熔断标志和所述错误校正码故障标志,等待自动刷新命令或自刷新命令。
8.根据权利要求7所述的存储器存储装置,其中所述存储器控制电路进一步配置成:
响应于接收所述自动刷新命令或所述自刷新命令,刷新所述多个冗余存储器单元。
9.根据权利要求5所述的存储器存储装置,其中所述存储器控制电路还包括:
刷新地址闩锁,配置成接收所述错误校正码故障标志和所述字线地址以用于执行所述多个冗余存储器单元的刷新操作。
10.根据权利要求1所述的存储器存储装置,其中所述多个冗余存储器单元和所述多个存储器单元具有相同行地址。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华邦电子股份有限公司,未经华邦电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011625581.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:显示装置和包括显示装置的电子装置
- 下一篇:合金熔射膜以及成膜装置