[发明专利]扇出型封装结构及封装方法

说明书

本申请公开了一种扇出型封装结构及封装方法，包括芯片，芯片上设置多个焊盘，第一介电层设置在芯片设有焊盘的面上，第一介电层上设有第一通孔；第二介电层设置在第一介电层上，第二介电层上设有第二通孔；重布线金属层，设置在第二介电层上且填充第一通孔和第二通孔。根据本申请实施例提供的技术方案，第一介电层设置的第一通孔可匹配芯片上较小的输入输出引脚，第二介电层设置的第二通孔可增加电流专用通量，进一步达到优化产品性能的目的，两层介电层可以消除该封装工艺中的高度限制进而达到产品的需求，同时，较高的介电层高度能够有效的保护芯片正面，避免在测试阶段时芯片接收的正面应力，使得在封装过程中实现产品的快速导入。

技术领域

本发明一般涉及封装领域，尤其涉及扇出型封装结构及封装方法。

背景技术

由于轻薄短小已经成为电子消费品的发展方向，既能省掉材料及工序，又能缩少元器件尺寸的晶圆级封装工艺，已经越来越普遍了。

在封装半导体业界上，既有的FCCSP(Flip Chip Chip Scale Package，对单个的芯片进行封装)的封装工艺普遍为终端客户接受，因封装高度受到铜柱的高度限制，通常不能接受更改产品结构。

发明内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种扇出型封装结构及封装方法。

第一方面，提供一种扇出型封装结构，包括芯片，所述芯片上设置多个焊盘，所述芯片未设所述焊盘的面包覆有封装材料；

第一介电层，设置在所述芯片设有所述焊盘的面上，所述第一介电层上设有第一通孔，所述第一通孔暴露部分所述焊盘；

第二介电层，设置在所述第一介电层上，所述第二介电层上设有第二通孔，所述第二通孔暴露所述第一通孔；

重布线金属层，设置在所述第二介电层上且填充所述第一通孔和所述第二通孔；

多个锡球，间隔设置在所述重布线金属层上。

第二方面，提供一种扇出型封装方法，包括步骤：

提供一芯片，所述芯片上设置有多个焊盘；

在所述芯片设置所述焊盘的面上设有第一介电层，在所述第一介电层上开第一通孔；

在所述第一介电层上设有第二介电层，在所述第二介电层上开第二通孔；

在所述第二介电层上形成重布线金属层，所述重布线金属层填充所述第一通孔和所述第二通孔设置；

在所述重布线金属层上设置锡球。

根据本申请实施例提供的技术方案，通过在芯片上设置两层介电层，两层介电层分别设置通孔结构，第一介电层设置的第一通孔可匹配芯片上较小的输入输出引脚，第二介电层设置的第二通孔可增加电流专用通量，进一步达到优化产品性能的目的，两层介电层可以消除该封装工艺中的高度限制进而达到产品的需求，同时，较高的介电层高度能够有效的保护芯片正面，避免在测试阶段时芯片接收的正面应力，使得在封装过程中实现产品的快速导入。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为本实施例中扇出型封装结构示意图；

图2为本实施例中扇出型封装方法流程图；

图3至图6为本实施例中扇出型封装过程结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。