[发明专利]一种PEI薄膜电容器热定型工艺有效

专利信息
申请号: 202011626431.0 申请日: 2020-12-30
公开(公告)号: CN112820545B 公开(公告)日: 2022-08-09
发明(设计)人: 谢平;李嘉雄;王亚民 申请(专利权)人: 艾华新动力电容(苏州)有限公司
主分类号: H01G4/33 分类号: H01G4/33;H01G4/32
代理公司: 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 代理人: 朱振德
地址: 215000 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 pei 薄膜 电容器 热定型 工艺
【说明书】:

发明公开了一种PEI薄膜电容器热定型工艺,PEI薄膜电容器包括芯子,芯子热定型方法为:将芯子置于烘箱内,使烘箱内的温度经过28‑32分钟从室温升温至60±3℃,使芯子在温度为60±3℃时保持58‑62分钟;然后使烘箱内的温度经过28‑32分钟从60±3℃升温至90±3℃,使芯子在温度为90±3℃时保持58‑62分钟;然后使烘箱内得温度经过28‑32分钟从90±3℃升温至120±3℃,使芯子在温度为120±3℃保持230‑250分钟;然后使烘箱内的温度经过28‑32分钟从120±3℃升温至150±3℃,使芯子在温度为150±3℃时保持470‑490分钟,最后使芯子在烘箱内利用烘箱自带的风机自然冷却至室温。本发明的PEI薄膜电容器热定型工艺,根据PEI膜的特性参数选择了合适的热定型参数,使电容器的电性能更加稳定。

技术领域

本发明涉及电力电子器件技术领域,尤其是涉及一种PEI(Polyetherimide,聚醚酰亚胺)薄膜电容器的制备工艺。

背景技术

宽禁带半导体材料一般都具有比硅高得多的临界雪崩击穿电场强度、载流子饱和漂移速度、较高的热导率和相差不大的载流子迁移率。因此,基于宽禁带半导体材料(如碳化硅)的电力电子器件将具有比硅器件高得多的耐受高电压的能力、低得多的通态电阻、更好的导热性能和热稳定性以及更强的耐受高温和射线辐射的能力,并且相对于硅器件来说,宽禁带半导体材料许多方面的性能都是成数量级地提高。

随着开关器件的发展,新一代开关器件的应用环境正在逐渐向高温、高压、大电流、高频等方向接轨,这就对与之配合的电容器提出了新的要求:耐高温、耐高压、耐大电流、耐高频等。而宽禁带半导体器件的优势可满足新型开关器件的高要求。PEI薄膜电容器能够满足新一代开关器件的应用要求,但是很难摸索出能够满足PEI材料的热定型温度参数和热定型时间参数。选择合适的热定型温度和时间对电容器的电性能有非常重要的作用。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种PEI薄膜电容器热定型工艺,可以制备一种具有稳定电性能的PEI薄膜电容器,并且可以提高工作温度到150℃。

为了解决上述技术问题,本发明提供了一种PEI薄膜电容器热定型工艺,PEI薄膜电容器包括芯子,所述芯子由两层金属化PEI薄膜绕制而成,所述芯子两端设置有喷金层,所述带有喷金层的芯子进行烘烤热定型处理,所述热定型处理的方法为:将所述芯子置于烘箱内,使烘箱内的温度经过28-32分钟从室温升温至60±3℃,使所述芯子在温度为60±3℃时保持58-62分钟;然后使所述烘箱内的温度经过28-32分钟从60±3℃升温至90±3℃,使所述芯子在温度为90±3℃时保持58-62分钟;然后使所述烘箱内的温度经过28-32分钟从90±3℃升温至120±3℃,使所述芯子在温度为120±3℃保持230-250分钟;然后使所述烘箱内的温度经过28-32分钟从120±3℃升温至150±3℃,使所述芯子在温度为150±3℃时保持470-490分钟,最后使所述芯子在烘箱内利用烘箱自带的风机自然冷却至室温。

进一步地,所述PEI薄膜上设置有蒸镀金属。

进一步地,所述蒸镀金属是锌、铝或银锌铝合金。

进一步地,所述芯子端面经过先喷锌再喷锌锡合金处理形成有所述喷金层。

进一步地,将所述芯子置于烘箱内,使烘箱内的温度从室温升温至60±3℃的升温时间设置为30分钟,使所述烘箱内的温度从60±3℃升温至90±3℃的升温时间设置为30分钟,使所述烘箱内的温度从90±3℃升温至120±3℃的升温时间设置为30分钟,使所述烘箱内的温度从120±3℃升温至150±3℃的升温时间设置为30分钟。

进一步地,将所述芯子置于烘箱内,使所述芯子在温度为60±3℃时的温度保持时间设置为60分钟,使所述芯子在温度为90±3℃时的温度保持时间设置为60分钟,使所述芯子在温度为120±3℃时的温度保持时间设置为240分钟,使所述芯子在温度为150±3℃时的温度保持时间设置为480分钟。

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