[发明专利]局部字线驱动器件、存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种局部字线驱动器件，包括：

衬底；

在所述衬底上形成的晶体管结构的阵列，所述晶体管结构被配置在行和列中，其中，所述衬底包括：

多个第一场区，每个第一场区在所述晶体管结构的相邻行之间，以及

多个第二场区，每个第二场区在所述晶体管结构的相邻列之间；以及

深沟槽隔离结构，其在所述衬底的所述多个第一场区或所述多个第二场区中的至少一个场区中形成，

其中：在所述阵列中的所述晶体管结构包括N型晶体管，并且在所述衬底的所述多个第一场区或所述多个第二场区中的一个或多个剩余场区中形成有p阱抽头。

2.根据权利要求1所述的器件，其中：

所述深沟槽隔离结构具有小于0.5微米的一个尺寸。

3.根据权利要求1所述的器件，其中：

所述深沟槽隔离结构由包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的材料制成。

4.根据权利要求1所述的器件，其中：

所述深沟槽隔离结构穿过所述衬底的整个厚度。

5.根据权利要求1所述的器件，还包括：

电介质层，其在所述衬底上在与所述晶体管结构的所述阵列相对的侧面处形成，并且其中，所述深沟槽隔离结构穿过所述电介质层的整个厚度。

6.根据权利要求1所述的器件，其中：

所述深沟槽隔离结构在所述衬底的所述多个第一场区或所述多个第二场区中的每一者中形成。

7.根据权利要求1所述的器件，其中：

在所述阵列中的晶体管结构的列由一个深沟槽隔离结构和一个p阱抽头夹在中间。

8.根据权利要求1所述的器件，其中：

所述深沟槽隔离结构在所述多个第二场区中的每个第二场区中形成，并且

所述p阱抽头在所述衬底的所述多个第一场区中的每个第一场区中形成。

9.根据权利要求1所述的器件，其中：

所述深沟槽隔离结构在所述多个第一场区中的每个第一场区中形成，并且

所述p阱抽头和所述深沟槽隔离结构在所述衬底的所述多个第二场区中交替地形成。

10.一种存储器件，包括：

局部字线驱动器件，包括：

衬底；

在所述衬底上形成的晶体管结构的阵列，所述晶体管结构被配置在行和列中，其中，所述衬底包括：

多个第一场区，每个第一场区在所述晶体管结构的相邻行之间，以及

多个第二场区，每个第二场区在所述晶体管结构的相邻列之间；以及

深沟槽隔离结构，其在所述衬底的所述多个第一场区或所述多个第二场区中的至少一个场区中形成，

其中：在所述阵列中的所述晶体管结构包括N型晶体管，并且在所述衬底的所述多个第一场区或所述多个第二场区中的一个或多个剩余场区中形成有p阱抽头。

11.一种用于形成存储器件的方法，包括：

提供第一晶圆，包括：

第一衬底、被配置在行和列中并在所述第一衬底上形成的晶体管结构的阵列、在所述第一衬底中形成并在相邻晶体管结构之间的隔离结构以及在晶体管结构的所述阵列上形成的第一电介质层；

提供第二晶圆，包括第二衬底和在所述第二衬底上形成的第二电介质层；

将所述第二晶圆的所述第二电介质层与所述第一晶圆的所述第一电介质层进行键合；

使所述第一衬底减薄以提供经减薄的第一衬底；

穿过所述经减薄的第一衬底形成背侧深沟槽，其中，所述背侧深沟槽连接到所述第一晶圆的所述隔离结构；以及

通过在所述背侧深沟槽中形成电介质材料来在相应的隔离结构上形成背侧深沟槽隔离结构，

其中：在所述阵列中的所述晶体管结构包括N型晶体管，并且在所述衬底的多个第一场区或多个第二场区中的一个或多个剩余场区中形成有p阱抽头。