[发明专利]单晶体声波谐振器、滤波器及电子设备

权利要求书

1.一种体声波谐振器，包括：

基底；

声学镜；

底电极；

顶电极；和

单晶压电层，设置在底电极与顶电极之间，

其中：

单晶压电层的下表面与基底的上表面之间设置有支撑层，单晶压电层与基底大体平行布置；

底电极的非电极连接端埋设在支撑层中，埋设在支撑层中的底电极在平行于谐振器的厚度方向的上下方向上分别与单晶压电层与支撑层面接触；

所述顶电极的非电极连接端与所述单晶压电层面接触的顶电极接触边界在水平方向上处于声学镜边界的内侧，且与声学镜边界在水平方向上的距离不大于20μm。

2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

所述顶电极接触边界与声学镜边界在水平方向上的距离不大于10μm。

3.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

所述声学镜为声学镜空腔。

4.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

顶电极和/或底电极为平直电极；或者

顶电极和/或底电极非电极连接端设置有悬翼结构或桥结构。

5.一种体声波谐振器，包括：

基底；

声学镜；

底电极；

顶电极；和

单晶压电层，设置在底电极与顶电极之间，

其中：

单晶压电层的下表面与基底的上表面之间设置有支撑层，单晶压电层与基底大体平行布置；

所述底电极的非电极连接端与所述单晶压电层面接触的底电极接触边界，在水平方向上处于声学镜边界的内侧，且与声学镜边界之间在水平方向上的距离不大于20μm。

6.根据权利要求5所述的谐振器，其中：

所述底电极接触边界与声学镜边界之间在水平方向上的距离不大于10μm。

7.根据权利要求5所述的谐振器，其中：

所述顶电极的非电极连接端与所述单晶压电层面接触的顶电极接触边界在水平方向上处于声学镜边界的内侧，且与声学镜边界在水平方向上的距离不大于20μm。

8.根据权利要求7所述的谐振器，其中：

所述顶电极接触边界与声学镜边界在水平方向上的距离不大于10μm。

9.根据权利要求5所述的谐振器，其中：

所述顶电极的非电极连接端与所述单晶压电层面接触的顶电极接触边界在水平方向上处于声学镜边界的外侧。

10.根据权利要求5所述的谐振器，其中：

所述声学镜为声学镜空腔。

11.根据权利要求10所述的谐振器，其中：

所述声学镜空腔为凹入到支撑层内的形状，且声学镜空腔的下边界由所述支撑层限定。

12.根据权利要求5所述的谐振器，其中：

顶电极和/或底电极为平直电极；或者

顶电极和/或底电极非电极连接端设置有悬翼结构或桥结构。

13.根据权利要求1-12中任一项所述的谐振器，其中：

声学镜、底电极、单晶压电层和顶电极在谐振器的厚度方向上的重合区域构成谐振器的有效区域；

在有效区域之外，所述单晶压电层的上表面的至少一部分设置有绝缘层。

14.根据权利要求13所述的谐振器，其中：

在顶电极的处于有效区域之外的部分对应的区域，所述绝缘层至少设置在顶电极的下表面与单晶压电层的上表面之间；

所述绝缘层的材料选自二氧化硅、氮化硅、碳化硅、蓝宝石中的一种，或者所述绝缘层的材料的导热系数不小于0.2 W/cm·K。