[发明专利]封装件及其形成方法在审
申请号: | 202011627702.4 | 申请日: | 2020-12-31 |
公开(公告)号: | CN112802764A | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 李维平 | 申请(专利权)人: | 上海易卜半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L25/16;H01L23/488;H01L21/60 |
代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 童剑雄 |
地址: | 201700 上海市青浦区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 及其 形成 方法 | ||
1.一种形成封装件的方法,所述方法包括:
在载体的上方放置芯片层,所述芯片层包括多个芯片联接器和正面朝下的多个芯片,其中在所述多个芯片联接器上方的表面具有多个第一凸点;
在所述载体的上方对所述芯片层进行模塑处理以形成塑封结构;
对所述塑封结构进行减薄处理,以暴露出所述多个第一凸点;
在经减薄的塑封结构上方添加金属层;
去除所述载体以形成封装件主体,并在所述封装件主体的下方添加重布线层和第二凸点;和
分割所述封装件主体以形成多个所述封装件。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述多个芯片联接器是有源联接器件或无源联接器件,并且其中,所述多个芯片联接器被设置成在竖直方向上包含至少一个导电通道。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述封装件包括至少一个被分割的芯片联接器、第一芯片和被分割的金属层,其中,所述第一芯片能够通过所述至少一个被分割的芯片联接器和所述重布线层电联接至所述被分割的金属层。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述多个芯片联接器由一种或多种半导体材料、一种或多种无机材料、一种或多种有机材料和/或一种或多种金属材料形成。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,在所述金属层内集成如下电子器件中的一种或多种:I/O端口、无源器件、射频天线、电磁干扰屏蔽器件和散热器件;和/或其中,在所述金属层的上方放置并组装如下电子器件中的一种或多种:集成电路模块、微机电系统、光电器件和无源器件。
6.一种封装件,包括:
重布线层,其包括第一侧和第二侧;
多个第一凸点,其设置在所述重布线层的第一侧;
芯片,其包括正面和背面,所述芯片正面朝下地放置并组装在所述重布线层的第二侧;
至少一个芯片联接器,其包括正面和背面,所述至少一个芯片联接器正面朝下地放置并组装在所述重布线层的第二侧上,并且水平地放置在所述至少一个第一芯片的侧面;
多个第二凸点,其设置在所述至少一个芯片联接器的上方;和
金属层,其放置并组装在所述封装件的上方并与所述多个第二凸点中的至少一个电联接,
其中,所述封装件被模塑处理成塑封结构。
7.根据权利要求6所述的封装件,其中,所述至少一个芯片联接器是有源联接器件或无源联接器件,并且其中,所述至少一个芯片联接器被设置成在竖直方向上包含至少一个导电通道。
8.根据权利要求6所述的封装件,其中,所述芯片能够通过所述至少一个芯片联接器和所述重布线层电联接至所述金属层。
9.根据权利要求6所述的封装件,其中,所述至少一个芯片联接器由一种或多种半导体材料、一种或多种无机材料、一种或多种有机材料和/或一种或多种金属材料形成。
10.根据权利要求6所述的封装件,其中,在所述金属层内集成如下电子器件中的一种或多种:I/O端口、无源器件、射频天线、电磁干扰屏蔽器件和散热器件;和/或其中,在所述金属层的上方放置并组装如下电子器件中的一种或多种:集成电路模块、微机电系统、光电器件和无源器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造