[发明专利]辐射环境用低噪声高屏蔽fA级电流信号电缆及制造工艺

权利要求书

1.一种辐射环境用低噪声高屏蔽fA级电流信号电缆，包括：

设置于电缆中心的内导体；

依次包覆于内导体外层的绕包绝缘层、绕包半导电层、外导体、内护套、外屏蔽层、吸波功能层和外护套。

2.根据权利要求1所述的电缆，所述内导体由多根镀银铜丝围绕中心增强填充纤维绞合构成。

3.根据权利要求1所述的电缆，所述绕包绝缘层由交联聚四氟乙烯薄膜组成。

4.根据权利要求1所述的电缆，所述绕包半导电层由聚四氟乙烯薄膜或交联聚四氟乙烯薄膜组成。

5.根据权利要求1所述的电缆，所述外导体由在绕包半导电层外包覆的铜丝编织屏蔽层组成。

6.根据权利要求1所述的电缆，所述内护套由氟塑料组成。

7.根据权利要求1所述的电缆，所述外屏蔽层为采用镀银铜丝编织得到的屏蔽结构。

8.根据权利要求1所述的电缆，所述吸波功能层是在外屏蔽层涂覆导电胶与增加吸波铁氧体涂层薄膜得到的。

9.根据权利要求1所述的电缆，所述外护套由高密度聚乙烯组成。

10.一种根据权利要求1所述的辐射环境用低噪声高屏蔽fA级电流信号电缆的制造工艺，包括以下步骤：

步骤S1，使用多根镀银铜丝围绕中心增强填充纤维绞合构成内导体，设置于电缆中心；

步骤S2，在所述内导体外层使用交联聚四氟乙烯薄膜采用绕包方式进行编织，得到包覆于内导体外层的绕包绝缘层；

步骤S3，在所述绕包绝缘层外层使用半导电的交联聚四氟乙烯或聚四氟乙烯薄膜采用绕包方式进行编织，得到包覆于绕包绝缘层外层的绕包半导电层；

步骤S4，使用铜丝编织得到屏蔽层包覆在所述绕包半导电层外层，得到外导体；

步骤S5，使用氟塑料在所述外导体外层制得内护套；

步骤S6，使用镀银铜丝在所述内护套外层编织得到外屏蔽层；

步骤S7，在所述外屏蔽层外层使用导电胶与吸波铁氧体薄膜采用绕包方式进行编织，得到吸波功能层；

步骤S8，使用高密度聚乙烯在所述吸波功能层外层制得外护套。