[发明专利]一种汲取液侧表面电荷优化的正渗透基膜及其制备方法

权利要求书

1.一种汲取液侧表面电荷优化的正渗透基膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

碱处理：将聚丙烯腈膜浸没在氢氧化钠溶液中1小时，碱溶液浓度为1.5 mol/L，所述碱处理温度为45℃，取出膜后用去离子水冲洗，再浸泡在去离子水中；

孔径改性处理：将碱处理后的膜浸入到300 ml的间苯二胺水溶液中5分钟，间苯二胺浓度为2 wt%，随后取出聚丙烯腈膜，用橡胶棒擀净表面残余的间苯二胺水溶液，然后使其表面浸泡于均苯三甲酰氯的正己烷溶液中，界面聚合反应1分钟，随后取出聚丙烯腈膜，并用正己烷冲洗，存储在去离子水中，所述均苯三甲酰氯的正己烷溶液浓度为0.15 wt%；

正电改性处理：将孔径改性处理后得到的聚丙烯腈膜浸泡在300 ml的聚乙烯亚胺水溶液中5分钟，聚乙烯亚胺水溶液为2 wt%，随后将膜取出，将未发生孔径改性界面聚合的一面铺展于均苯三甲酰氯的正己烷溶液上，所述均苯三甲酰氯的正己烷溶液浓度为0.15 wt%；反应20分钟，随后取出并用正己烷冲洗，即可获得表面正电改性后的聚丙烯腈膜，并存储在去离子水中；

负电改性处理：将表面正电改性后的聚丙烯腈膜中发生正电改性的一面铺展在2 wt%的植酸水溶液、氨基三亚甲基膦酸水溶液、乙二胺四亚甲基膦酸水溶液或二乙烯三胺五亚甲基膦酸水溶液中，反应20分钟，随后取出并用去离子水冲洗，即可得到表面负电改性的聚丙烯腈膜。

2.一种汲取液侧表面电荷优化的正渗透基膜，其特征在于，根据权利要求1所述的制备方法制备而成。