[发明专利]复合材料及发光器件

说明书

本发明涉及一种复合材料及发光器件。该复合材料可作为发光器件的发光层的材料，包括混合的量子点材料和宽禁带纳米颗粒材料，所述宽禁带纳米颗粒材料为禁带宽度不小于2.5eV的金属氧化物。本发明的将量子点材料和宽禁带纳米颗粒材料混合，其中宽禁带纳米颗粒材料能够将量子点材料有效分隔开来，增大量子点材料之间的距离，而宽禁带纳米颗粒材料为禁带宽度不小于2.5eV的金属氧化物，能够有效阻断激子能量在量子点材料间的荧光共振能量转移，抑制了激子的淬灭，提高了量子点薄膜的荧光效率，进而提高量子点电致发光器件的效率。

技术领域

本发明涉及发光器件技术领域，特别是涉及一种复合材料及发光器件。

背景技术

量子点具有发光颜色可调、色纯度高、荧光效率高、光稳定性好和易溶液加工等独特的优点，引起了人们的广泛关注。目前量子点已被作为发光层应用于发光二极管。近年来，随着量子点化学合成工艺的进步，溶液态的量子点的光致发光效率(PLQY)已接近100％。然而，当量子点紧密堆叠组装成固态薄膜时，由于激子的能量可以通过荧光共振能量转移(FRET)传递给相邻的量子点，导致量子点薄膜的荧光效率急剧下降，进而限制发光二极管的效率。

因此，如何有效的抑制量子点间的荧光共振能量转移，提高量子点发光二极管的效率是一个重要的问题。

发明内容

基于此，有必要提供一种复合材料及发光器件，以提高量子点发光二极管的效率。

本发明的一个目的是提供一种发光层，方案如下：

一种复合材料，包括混合的量子点材料和宽禁带纳米颗粒材料，所述量子点材料和所述宽禁带纳米颗粒材料为混合状态，所述宽禁带纳米颗粒材料为禁带宽度不小于2.5eV的金属氧化物。

在其中一个实施例中，所述宽禁带纳米颗粒材料的禁带宽度为2.5eV～5eV。

在其中一个实施例中，所述宽禁带纳米颗粒材料选自钛酸钡(BaTiO₃)、钛酸铜(CuTiO₃)、钛酸锰(MnTiO₃)、钽酸钾(KTaO₃)、钽酸锂(LiTaO₃)、三氧化二镓(Ga₂O₃)、一氧化锰(MnO)、五氧化二钽(Ta₂O₅)、五氧化二钒(V₂O₅)、三氧化二镱(Yb₂O₃)、二氧化锆(ZrO₂)中的一种或多种。

在其中一个实施例中，所述宽禁带纳米颗粒材料的粒径为1nm～15nm。

在其中一个实施例中，所述宽禁带纳米颗粒材料的粒径为1nm～6nm。

在其中一个实施例中，所述量子点材料的粒径为1nm～15nm。

在其中一个实施例中，所述量子点材料选自Ⅱ-Ⅵ族量子点材料、Ⅲ-Ⅴ族量子点材料、Ⅳ-Ⅵ族量子点材料、具有钙钛矿晶体结构类型的有机金属卤化物量子点材料中的一种或多种。

在其中一个实施例中，所述量子点材料选自Ⅱ-Ⅵ族的CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdSeSTe、ZnSeSTe、CdZnSeSTe；Ⅲ-Ⅴ族的InP、InAs、InAsP；Ⅳ-Ⅵ族的PbS、PbSe、PbTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe；具有钙钛矿晶体结构类型的有机金属卤化物半导体材料ABX₃(其中，A为有机基团，B为金属元素，X为卤族元素)中的一种或多种。

在其中一个实施例中，所述复合材料中，所述宽禁带纳米颗粒材料和所述量子点材料的体积比为1:99～70:30。