[发明专利]显示装置

权利要求书

1.一种显示装置，所述显示装置包括：

薄膜晶体管层，设置在基底上并且包括薄膜晶体管；以及

发射材料层，设置在所述薄膜晶体管层上，其中，

所述发射材料层包括：发光元件，均包括第一发光电极、发射层和第二发光电极；光接收元件，均包括第一光接收电极、光接收半导体层和第二光接收电极；以及第一隔堤，设置在所述第一发光电极上并限定所述发光元件中的每个发光元件的发射区域，并且

所述光接收元件设置在所述第一隔堤上。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述发射材料层还包括：

第二隔堤，设置在所述第一隔堤上；以及

第三隔堤，设置在所述光接收元件上。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，

所述第一光接收电极设置在所述第一隔堤上，

所述光接收半导体层设置在所述第一光接收电极上，

所述第二光接收电极设置在所述光接收半导体层和所述第二隔堤上，

所述发射材料层还包括光接收连接电极，所述光接收连接电极和所述第一发光电极设置在同一层上并且包括相同的材料，并且

所述第二光接收电极通过接触孔电连接到所述光接收连接电极，所述接触孔穿透所述第一隔堤和所述第二隔堤并暴露所述光接收连接电极。

4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，

所述发射层设置在所述第一发光电极上，并且

所述第二发光电极设置在所述发射层和所述第三隔堤上。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述光接收半导体层包括：

n型半导体层，电连接到所述第一光接收电极；

p型半导体层，电连接到所述第二光接收电极；以及

i型半导体层，在所述基底的厚度方向上设置在所述第一光接收电极与所述第二光接收电极之间。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，

所述i型半导体层和所述n型半导体层中的每个包括非晶碳化硅或非晶锗化硅，并且

所述p型半导体层包括非晶硅。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述光接收半导体层包括：

n型半导体层，电连接到所述第一光接收电极；以及

p型半导体层，电连接到所述第二光接收电极。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，

所述n型半导体层包括非晶碳化硅或非晶锗化硅，并且

所述p型半导体层包括非晶硅。

9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一发光电极在所述基底的厚度方向上不与所述第一光接收电极、所述光接收半导体层和所述第二光接收电极叠置，并且

其中，所述第二发光电极在所述基底的厚度方向上与所述第一光接收电极、所述光接收半导体层和所述第二光接收电极叠置。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述第一发光电极和所述第一光接收电极包括不透明导电材料，

所述第二发光电极和第二光接收电极包括透明导电材料。

11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一发光电极、所述第二发光电极、所述第一光接收电极和所述第二光接收电极包括透明导电材料。

12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述发射材料层还包括设置在所述第二发光电极上并且在所述发射区域中的反射电极，

所述反射电极包括不透明材料。

13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述发射材料层包括透射区域，所述透射区域在所述基底的厚度方向上不与所述发光元件中的每个发光元件的所述发射区域叠置，并且

其中，所述光接收元件中的每个光接收元件的光接收区域位于所述透射区域中。