[发明专利]一种晶圆清洗装置和晶圆清洗方法

说明书

本发明提供一种晶圆清洗装置和晶圆清洗方法，包括将晶圆放置在定位器上进行定位；真空发生组件抽真空使得定位器与晶圆之间形成真空；驱动组件驱动定位器旋转，从而驱动晶圆旋转；控制器根据第一清洗指令控制一输气管道向对应的喷嘴输送液态二氧化碳以对晶圆的下表面进行清洗；液态二氧化碳对晶圆的下表面清洗后变成气态二氧化碳进入回收腔体内，回收腔体对气态二氧化碳进行回收。对于晶圆表面纳米尺寸下具有高深宽比的器件微结构，很容易去除水分子等残留物，二氧化碳不仅起到有效的清洁作用，还起到有效的干燥作用，还可以与其他清洗剂混合使用。

技术领域

本发明涉及晶圆制造技术部领域，尤其涉及一种晶圆清洗装置和晶圆清洗方法。

背景技术

晶圆是指制作硅半导体电路所用的晶片，晶圆清洗，将晶圆在不断被加工成形及抛光处理的过程中，由于与各种有机物、粒子及金属接触而产生的污染物清除的工艺。是晶圆制造过程中的一个重要工艺步骤。

在半导体清洗工艺，尤其是高阶晶圆产品如逻辑集成电路，存储，功率器件等相关的晶圆产品，在制造过程中，通过繁复的各种光刻，湿法，沉积，氧化等相关的工艺进行处理，在每一个过程之前或之后执行清洗衬底的过程来去除每个过程中产生的异物和颗粒，确保后续的工艺良率的正确性与再现性。

在相关的65-14nm pitch需求的半导体湿法工艺，以及对应于14nm以下扩及到5nmpitch的晶圆产品，尤其在尺寸效应的作用之下，晶圆湿法工艺的核心问题在于液体残留在纳米尺寸的高深宽比微结构，可能性的液体张力无法有效改善导致的高深宽比微结构难以进行清洗，而且现有技术中晶圆清洗装置结构不紧凑，无法实现多种情况喷洗。

发明内容

本发明提供一种晶圆清洗装置和晶圆清洗方法，旨在解决现有技术中晶圆高深宽比微结构难以进行清洗等技术问题。

一种晶圆清洗装置，用于对晶圆的下表面进行清洗，包括：

定位器，定位器用于对晶圆进行定位，

驱动组件，用于驱动定位器旋转；

真空发生组件，设置于定位器上并使得定位器与晶圆之间形成真空；

清洗组件，位于定位器和晶圆之间，清洗组件包括：

设置于定位器的安装座；

设置于安装座内的多个喷嘴，喷嘴倾斜与晶圆的下表面布置；

每一个喷嘴分别连一根向喷嘴输送清洗剂的输气管道，其中清洗剂包括液态二氧化碳；

回收腔体，回收腔体包括多个回收环，用于对清洗晶圆后的清洗剂进行回收；

控制器，用于根据第一清洗指令控制一输气管道向对应的喷嘴输送液态二氧化碳以对晶圆的下表面进行清洗；

进一步的，晶圆清洗装置还设置有加热构件，连接控制器，控制器在使用液态二氧化碳对晶圆的下表面进行清洗时控制加热构件发热以对液态二氧化碳进行加热。

进一步的，控制器控制一输气管道间歇性地向对应的喷嘴输送液态二氧化碳以对晶圆的下表面进行清洗。

进一步的，安装座的中央设置用于容纳真空管道的真空通道，真空通道周围均匀设置六个喷嘴，喷嘴的喷射口指向背离真空通道的方向。

一种晶圆清洗方法，使用前述的一种晶圆清洗装置，包括如下步骤：

步骤A1，将晶圆放置在定位器上进行定位；

步骤A2，真空发生组件抽真空使得定位器与晶圆之间形成真空；

步骤A3，驱动组件驱动定位器旋转，从而驱动晶圆旋转；

步骤A4，控制器根据第一清洗指令控制一输气管道向对应的喷嘴输送液态二氧化碳以对晶圆的下表面进行清洗；