[发明专利]一种单晶圆载体清洗干燥装置

说明书

本发明公开了一种单晶圆载体清洗干燥装置，涉及到半导体技术领域，包括清洗液回收机构、晶圆清洗机构、晶圆干燥模组、第一清洗模组、第二清洗模组和第三清洗模组，其中，晶圆清洗机构可升降地设于清洗液回收机构内，第一清洗模组可旋转地设于清洗液回收机构的一侧，第二清洗模组可旋转地设于清洗液回收机构的另一侧，第三清洗模组可旋转地设于清洗液回收机构的一端，其中，第一清洗模组与第二清洗模组之间设有晶圆干燥模组。本发明中，能够提高晶圆片的正面的清洁效果，提高清洁度，也能够实现对不同类型的清洗液的分类回收，也能够实现对晶圆片的背面的清洗；整体能够实现对晶圆片的正面及背面的清洗，保证晶圆片的双面清洗的一致性。

技术领域

本发明涉及到半导体技术领域，尤其涉及到一种单晶圆载体清洗干燥装置。

背景技术

在半导体清洗工艺,尤其是高阶晶圆产品如逻辑集成电路,存储,功率器件等相关的晶圆产品,在制造过程中,透过繁复的各种光刻,湿法,沉积,氧化等相关的工艺进行处理,然而每一段点的接续工艺都需要透过湿法工艺进行处理,确保后续的工艺良率的正确性与再现性。

尤其是在相关需求的半导体湿法工艺,对晶圆背部的湿法清洗的要求,其多使用在单片清洗设备的实际运用,故建立一种有效的完整的晶圆清洗效果控制的能力为一现行的高阶半导体湿法工艺所需要关注的要点,实现在具有晶圆高度清洗洁净度与流场控制控制的专用清洗模组的搭配,为现行需要关注的议题与体现。

发明内容

本发明的目的在于提供一种单晶圆载体清洗干燥装置，用于解决上述技术问题。

本发明采用的技术方案如下：

一种单晶圆载体清洗干燥装置，包括清洗液回收机构、晶圆清洗机构、晶圆干燥模组、第一清洗模组、第二清洗模组和第三清洗模组，其中，所述晶圆清洗机构可升降地设于所述清洗液回收机构内，所述第一清洗模组可旋转地设于所述清洗液回收机构的一侧，所述第二清洗模组可旋转地设于所述清洗液回收机构的另一侧，所述第三清洗模组可旋转地设于所述清洗液回收机构的一端，其中，所述第一清洗模组与所述第二清洗模组之间设有所述晶圆干燥模组。

作为优选，所述晶圆干燥模组包括若干氮气吹送管，每一所述氮气吹送管的一端均为出气端，且所述出气端由上至下向靠近所述晶圆清洗机构的方向倾斜设置。

作为优选，所述第三清洗模组包括并排设置的第一清洗管机构、第二清洗管机构和第三清洗管机构。

作为优选，还包括安装板，所述清洗液回收机构设于所述安装板的中部，所述晶圆干燥模组、所述第一清洗模组、所述第二清洗模组和所述第三清洗模组分别设于所述安装板的上端。

作为进一步的优选，所述第二清洗模组包括安装管、安装块、氮气喷头、第一喷头和第二喷头，其中，所述安装管的一端与所述安装板的上端连接，所述安装管的另一端连接所述安装块的一端，所述安装块的另一端设有所述氮气喷头、所述第一喷头和所述第二喷头。

作为进一步的优选，还包括氮气输送管、第一输液管和第二输液管，其中，所述氮气输送管、所述第一输液管和所述第二输液管分别安装于所述安装管内，且所述氮气输送管与所述氮气喷头连接，所述第一输液管连接所述第一喷头，所述第二输液管连接所述第二喷头。

作为进一步的优选，所述氮气喷头、所述第一喷头和所述第二喷头并排设置，且所述第一喷头位于所述氮气喷头与所述第二喷头之间，所述氮气喷头由上至下向靠近所述第一喷头的方向倾斜设置。

作为优选，所述晶圆清洗机构包括晶圆承载平台、晶圆支撑管件、转动轴组、第一升降机构和晶圆定位器，其中，所述晶圆承载平台的上表面的外缘设有若干所述晶圆定位器，所述转动轴组和所述第一升降机构分别设于所述晶圆承载平台的下端，且所述第一升降机构驱动所述转动轴组，所述晶圆支撑管件沿所述转动轴组的轴向方向贯穿所述转动轴组，且所述晶圆支撑管件的一端贯穿所述晶圆承载平并延伸至所述晶圆承载平台的上侧。