[发明专利]可改善单片清洗固体结晶物堆积的装置及湿法清洗设备

说明书

本发明公开了一种可改善单片清洗固体结晶物堆积的装置及湿法清洗设备，所述装置包括清洗机构和用以带动清洗机构上下移动和在圆周方向旋转的顶升旋转机构，所述清洗机构包括套设在顶升旋转机构上的晶圆定位组件以及扣合固定在晶圆定位组件上的管件外壳，所述管件外壳内设置有晶圆吸附管和清洗液输送管。本发明利用伯努利原理使晶圆悬浮在该装置上方，可对清洗晶圆背面的污染物进行彻底清洗，提高了清洗效果，提高了清洗效率。

技术领域

本发明涉及半导体工艺设备技术领域，尤其涉及一种可改善单片清洗固体结晶物堆积的装置及湿法清洗设备。

背景技术

晶圆(Wafer)是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。晶圆加工过程中，需根据需要去除晶圆表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化物、石英、塑料等污染物，且不破坏晶圆表面特性。如晶圆电镀后，需对晶圆进行清洗以去除晶圆表面残留的电镀液，避免电镀液对晶圆产生影响，降低晶圆品质，同时也避免电镀液对下一道工序产生污染。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种可改善单片清洗固体结晶物堆积的装置及湿法清洗设备，用以解决上述背景技术中存在的问题。

一种可改善单片清洗固体结晶物堆积的装置，包括清洗机构和用以带动清洗机构上下移动和在圆周方向旋转的顶升旋转机构，

所述清洗机构包括套设在顶升旋转机构上的晶圆定位组件以及扣合固定在晶圆定位组件上的管件外壳，所述管件外壳内设置有晶圆吸附管和清洗液输送管，

所述晶圆吸附管竖直穿过顶升旋转机构，用以喷射使晶圆的上表面与下表面之间形成压力差从而使晶圆悬浮在清洗机构上方的气流；

所述清洗液输送管竖直穿过顶升旋转机构并与管件外壳上设置的倾斜喷嘴相连通，清洗液输送管用以输送清洗晶圆下表面污染物的清洗液。

优选地，所述晶圆定位组件包括第一晶圆定位器、第二晶圆定位器和第三晶圆定位器，所述第一晶圆定位器和第二晶圆定位器均套设在顶升旋转机构上，第三晶圆定位器分别与第一晶圆定位器和第二晶圆定位器扣合固定，所述第三晶圆定位器的顶部安装有多个支撑座。

优选地，所述顶升旋转机构包括电机和升降机构，所述电机固定在升降机构上，所述第一晶圆定位器套设在电机的转轴上，电机的转轴端部套设有转动轴承，第二晶圆定位器套设在转动轴承外侧。

优选地，所述第三晶圆定位器的顶部开设有多个用以安装支撑座的第一固定槽和用以扣合管件外壳的第二固定槽，

第三晶圆定位器的底部开设有用以扣合第二晶圆定位器的第三固定槽且其底部向下延伸出有一个环状凸起，第一晶圆定位器的侧边抵在环状凸起上。

优选地，所述管件外壳包括管件下外壳、与管件下外壳相扣合的管件上外壳、以及竖直穿设在管件上外壳内的固定件。

优选地，所述管件上外壳的中央开设有一个竖直贯穿的第四固定槽，管件上外壳的下部开设有一个扣合槽，管件上外壳的上部水平设有多个倾斜喷嘴。

优选地，所述管件上外壳上部的外表面为向下倾斜的弧面。

优选地，所述固定件的中央开设有一个竖直贯穿的用以设置晶圆吸附管的第五固定槽，第五固定槽的四周设置有多个用以设置清洗液输送管的第六固定槽。

优选地，所述第六固定槽为L型槽。

一种湿法清洗设备，包括所述的可改善单片清洗固体结晶物堆积的装置，湿法清洗设备上安装有一种固定不动的喷淋管和多种可来回摆动的用于向晶圆表面喷射清洗液的喷淋管，其中一种喷淋管为纳米级喷淋管，所述纳米级喷淋管上设置有与液体清洗管道相连的液体清洗喷头、与雾化清洗管道相连的雾化清洗喷头、与氮气供气管道相连的氮气喷头和超声波震荡片，所述雾化清洗喷头连接超声波震荡片，超声波震荡片连接外部电源，所述氮气喷嘴朝向所述雾化清洗喷头。