[发明专利]一种自带聚光结构的微机电红外光源及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202011631944.0 申请日: 2020-12-31
公开(公告)号: CN112794280A 公开(公告)日: 2021-05-14
发明(设计)人: 张洋;荆二荣;徐德辉 申请(专利权)人: 厦门烨映电子科技有限公司
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02;B81B7/00;B81C3/00;B81C1/00;G01N21/3504
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 361000 福建省厦门市中国(福建)自*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 聚光 结构 微机 红外 光源 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种自带聚光结构的微机电红外光源,其特征在于,所述自带聚光结构的微机电红外光源包括:

第一结构层,自下而上依次包括衬底层、支撑层及黑体辐射层,所述衬底层中设有真空腔体,所述支撑层中设有与所述真空腔体连通的通孔;

第二结构层,位于所述第一结构层上方,并通过第一接合层与所述第一结构层键合连接,所述第二结构层中设有聚光腔,所述聚光腔在垂直方向上贯穿所述第二结构层,并与所述通孔连通,所述聚光腔的底部暴露出所述黑体辐射层,所述聚光腔的内壁设有反射层;

第三结构层,位于所述第二结构层上方,并通过第二接合层与所述第二结构层键合连接,所述第三结构层封闭所述聚光腔的顶部开口,所述第三结构层包括滤光层。

2.根据权利要求1所述的自带聚光结构的微机电红外光源,其特征在于:所述衬底层的材质包括硅或锗;所述第二结构层的材质包括硅或锗;所述第三结构层的材质包括硅或锗。

3.根据权利要求1所述的自带聚光结构的微机电红外光源,其特征在于:所述支撑层包括绝缘材质。

4.根据权利要求1所述的自带聚光结构的微机电红外光源,其特征在于:所述黑体辐射层包括纳米结构,所述纳米结构包括凸起结构或凹陷结构。

5.根据权利要求4所述的自带聚光结构的微机电红外光源,其特征在于:所述黑体辐射层包括硅黑层。

6.根据权利要求1所述的自带聚光结构的微机电红外光源,其特征在于:所述第一结构层还包括金属焊盘,所述金属焊盘位于所述支撑层表面,并与所述第二结构层间隔预设距离。

7.根据权利要求1所述的自带聚光结构的微机电红外光源,其特征在于:所述聚光腔的内壁呈抛物面形状。

8.根据权利要求1所述的自带聚光结构的微机电红外光源,其特征在于:所述反射层包括金属层、陶瓷层及聚酯层中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的自带聚光结构的微机电红外光源,其特征在于:所述聚光腔的高度范围是0.01mm~10mm。

10.根据权利要求1所述的自带聚光结构的微机电红外光源,其特征在于:所述滤光层包括一层薄膜或多层薄膜。

11.根据权利要求1所述的自带聚光结构的微机电红外光源,其特征在于:所述滤光层包括带通滤光片或宽谱透光片。

12.根据权利要求1所述的自带聚光结构的微机电红外光源,其特征在于:所述第一接合层包括BCB焊料或金锡焊料,所述第二接合层包括BCB焊料或金锡焊料。

13.一种自带聚光结构的微机电红外光源的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:

形成第一结构层,所述第一结构层自下而上依次包括衬底层、支撑层及黑体辐射层,所述衬底层中设有真空腔体,所述支撑层中设有与所述真空腔体连通的通孔;

形成第二结构层,所述第二结构层中设有聚光腔,所述聚光腔在垂直方向上贯穿所述第二结构层,所述聚光腔的内壁设有反射层;

形成第三结构层,所述第三结构层包括滤光层;

通过第一接合层键合所述第一结构层与所述第二结构层,通过第二接合层键合所述第二结构层与所述第三结构层,所述第二结构层位于所述第一结构层与所述第三结构层之间,所述真空腔体、所述通孔及所述聚光腔依次连通,所述聚光腔的底部暴露出所述黑体辐射层,所述第三结构层封闭所述聚光腔的顶部开口。

14.根据权利要求13所述的自带聚光结构的微机电红外光源的制备方法,其特征在于:基于第一晶圆形成所述第一结构层,基于第二晶圆形成所述第二结构层,基于第三晶圆形成所述第三结构层,所述键合采用晶圆级键合。

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