[发明专利]一种自带聚光结构的微机电红外光源及其制备方法在审
申请号: | 202011631944.0 | 申请日: | 2020-12-31 |
公开(公告)号: | CN112794280A | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 张洋;荆二荣;徐德辉 | 申请(专利权)人: | 厦门烨映电子科技有限公司 |
主分类号: | B81B7/02 | 分类号: | B81B7/02;B81B7/00;B81C3/00;B81C1/00;G01N21/3504 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 361000 福建省厦门市中国(福建)自*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 聚光 结构 微机 红外 光源 及其 制备 方法 | ||
1.一种自带聚光结构的微机电红外光源,其特征在于,所述自带聚光结构的微机电红外光源包括:
第一结构层,自下而上依次包括衬底层、支撑层及黑体辐射层,所述衬底层中设有真空腔体,所述支撑层中设有与所述真空腔体连通的通孔;
第二结构层,位于所述第一结构层上方,并通过第一接合层与所述第一结构层键合连接,所述第二结构层中设有聚光腔,所述聚光腔在垂直方向上贯穿所述第二结构层,并与所述通孔连通,所述聚光腔的底部暴露出所述黑体辐射层,所述聚光腔的内壁设有反射层;
第三结构层,位于所述第二结构层上方,并通过第二接合层与所述第二结构层键合连接,所述第三结构层封闭所述聚光腔的顶部开口,所述第三结构层包括滤光层。
2.根据权利要求1所述的自带聚光结构的微机电红外光源,其特征在于:所述衬底层的材质包括硅或锗;所述第二结构层的材质包括硅或锗;所述第三结构层的材质包括硅或锗。
3.根据权利要求1所述的自带聚光结构的微机电红外光源,其特征在于:所述支撑层包括绝缘材质。
4.根据权利要求1所述的自带聚光结构的微机电红外光源,其特征在于:所述黑体辐射层包括纳米结构,所述纳米结构包括凸起结构或凹陷结构。
5.根据权利要求4所述的自带聚光结构的微机电红外光源,其特征在于:所述黑体辐射层包括硅黑层。
6.根据权利要求1所述的自带聚光结构的微机电红外光源,其特征在于:所述第一结构层还包括金属焊盘,所述金属焊盘位于所述支撑层表面,并与所述第二结构层间隔预设距离。
7.根据权利要求1所述的自带聚光结构的微机电红外光源,其特征在于:所述聚光腔的内壁呈抛物面形状。
8.根据权利要求1所述的自带聚光结构的微机电红外光源,其特征在于:所述反射层包括金属层、陶瓷层及聚酯层中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的自带聚光结构的微机电红外光源,其特征在于:所述聚光腔的高度范围是0.01mm~10mm。
10.根据权利要求1所述的自带聚光结构的微机电红外光源,其特征在于:所述滤光层包括一层薄膜或多层薄膜。
11.根据权利要求1所述的自带聚光结构的微机电红外光源,其特征在于:所述滤光层包括带通滤光片或宽谱透光片。
12.根据权利要求1所述的自带聚光结构的微机电红外光源,其特征在于:所述第一接合层包括BCB焊料或金锡焊料,所述第二接合层包括BCB焊料或金锡焊料。
13.一种自带聚光结构的微机电红外光源的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
形成第一结构层,所述第一结构层自下而上依次包括衬底层、支撑层及黑体辐射层,所述衬底层中设有真空腔体,所述支撑层中设有与所述真空腔体连通的通孔;
形成第二结构层,所述第二结构层中设有聚光腔,所述聚光腔在垂直方向上贯穿所述第二结构层,所述聚光腔的内壁设有反射层;
形成第三结构层,所述第三结构层包括滤光层;
通过第一接合层键合所述第一结构层与所述第二结构层,通过第二接合层键合所述第二结构层与所述第三结构层,所述第二结构层位于所述第一结构层与所述第三结构层之间,所述真空腔体、所述通孔及所述聚光腔依次连通,所述聚光腔的底部暴露出所述黑体辐射层,所述第三结构层封闭所述聚光腔的顶部开口。
14.根据权利要求13所述的自带聚光结构的微机电红外光源的制备方法,其特征在于:基于第一晶圆形成所述第一结构层,基于第二晶圆形成所述第二结构层,基于第三晶圆形成所述第三结构层,所述键合采用晶圆级键合。
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