[发明专利]非易失性存储器的坏块修复方法、装置、存储介质和终端在审
| 申请号： | 202011632862.8 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112542203A | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 王文静 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯天下技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/44 | 分类号： | G11C29/44;G11C29/00 |
| 代理公司： | 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 | 代理人： | 陈志超;唐敏珊 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区横*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 修复 方法 装置 存储 介质 终端 | ||
1.一种非易失性存储器的坏块修复方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
S01：实时判断Nor Flash是否进入擦操作状态，是则跳转至S02，否则不改变当前状态；
S02：实时判断是否接收到Nor Flash擦除验证不通过信息，是则跳转至S03，否则跳转至S06；
S03：判断Nor Flash当前擦除操作中循环擦除次数是否已经达到预设值，是则跳转至S04，否则跳转至S05；
S04：将可替换块模块替换Nor Flash当前进行擦除操作的块模块，结束擦除操作；
S05：执行擦除操作并跳转至S02；
S06：完成擦除操作。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器的坏块修复方法，其特征在于，所述S04包括以下过程：判断得出Nor Flash擦除发生错误，同时记录当前发生错误的块模块地址，将当前发生错误的块模块地址替换成可替换块模块的地址。
3.根据权利要求1所述的非易失性存储器的坏块修复方法，其特征在于，所述可替换块模块的存储容量与Nor Flash中其他块模块的存储容量相同。
4.根据权利要求1所述的非易失性存储器的坏块修复方法，其特征在于，所述可替换块模块为与原芯片中的被替换的块模块的结构相同，即该可替换块模块拥有与其他块模块相同数量的字线与相同数量的位线，且该可替换块模块与芯片中其他块模块一起共用相同的字线。
5.根据权利要求1所述的非易失性存储器的坏块修复方法，其特征在于，所述可替换块模块中的所有存储单元的初始值全部为擦除状态。
6.一种非易失性存储器的坏块修复装置，其特征在于，包括：
擦操作状态判断模块，实时判断Nor Flash是否进入擦操作状态；
擦除验证信息判断模块，实时判断是否接收到Nor Flash擦除验证不通过信息；
循环擦除次数判断模块，判断Nor Flash当前擦除操作中循环擦除次数是否已经达到预设值；
替换模块，将可替换块模块替换Nor Flash当前进行擦除操作的块模块；
擦除模块，执行擦除操作。
7.根据权利要求6所述的非易失性存储器的坏块修复装置，其特征在于，所述可替换块模块设置在Nor Flash内。
8.根据权利要求6所述的非易失性存储器的坏块修复装置，其特征在于，所述可替换块模块可根据实际需要设置多个。
9.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质中存储有计算机程序，当所述计算机程序在计算机上运行时，使得所述计算机执行权利要求1至5任一项所述的方法。
10.一种终端设备，其特征在于，包括处理器和存储器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器通过调用所述存储器中存储的所述计算机程序，用于执行权利要求1至5任一项所述的方法。
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