[发明专利]用于光电化学刻蚀氮化镓的刻蚀液有效
| 申请号： | 202011632974.3 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112779013B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 潘革波;张子昂;张少辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C09K13/00 | 分类号： | C09K13/00;H01L21/306;H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;黄进 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 光电 化学 刻蚀 氮化 | ||
1.一种用于光电化学刻蚀氮化镓的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法中使用的刻蚀液由氨基酸或其衍生物溶解于溶剂中组成；所述刻蚀液中，所述氨基酸或其衍生物的重量百分比为10%~20%，余量为溶剂。
2.根据权利要求1所述的用于光电化学刻蚀氮化镓的刻蚀方法，其特征在于，所述氨基酸或其衍生物选自甘氨酸、谷氨酸、丙氨酸、精氨酸、天冬酰胺、天冬氨酸、半胱氨酸、谷氨酰胺、组氨酸、羟脯氨酸、异亮氨酸、亮氨酸、赖氨酸、甲硫氨酸、苯丙氨酸、脯氨酸、焦谷氨酸、丝氨酸、苏氨酸、色氨酸、酪氨酸、缬氨酸以及如上所述的氨基酸的衍生物中的任意一种或两种以上。
3.根据权利要求1所述的用于光电化学刻蚀氮化镓的刻蚀方法，其特征在于，所述溶剂为水或有机溶剂。
4.根据权利要求3所述的用于光电化学刻蚀氮化镓的刻蚀方法，其特征在于，所述有机溶剂选自乙醇、乙醚、甲酸、柠檬酸和氯仿中的任意一种或两种以上。
5.根据权利要求1所述的用于光电化学刻蚀氮化镓的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀液中还添加有助剂，所述助剂为1-乙基-3-甲基咪唑三氟甲磺酸盐或1-乙基-3-甲基咪唑三氟乙酸盐。
6.根据权利要求5所述的用于光电化学刻蚀氮化镓的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀液中，所述氨基酸或其衍生物的重量百分比为10%~20%，所述助剂的重量百分比不大于20%，余量为溶剂。
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