[发明专利]柔性X射线探测器的制备方法在审
申请号: | 202011633815.5 | 申请日: | 2020-12-31 |
公开(公告)号: | CN112820748A | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
发明(设计)人: | 史思罡;杨炯灿;李桂锋;金利波 | 申请(专利权)人: | 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/18 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201201 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 射线 探测器 制备 方法 | ||
1.一种柔性X射线探测器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供第一刚性基底,于所述第一刚性基底上形成柔性基底;
于所述柔性基底上形成感光器阵列层;
于所述感光器阵列层上形成电路层,且所述电路层与所述感光器阵列层电连接;
于所述感光器阵列层上形成第一牺牲层;
去除所述第一刚性基底,显露所述柔性基底;
提供第二刚性基底,并将所述柔性基底与所述第二刚性基底通过第二牺牲层相结合;
去除所述第一牺牲层,显露所述感光器阵列层;
于所述感光器阵列层上依次形成闪烁体层及第一封装层;
去除所述第二牺牲层及第二刚性基底,显露所述柔性基底;
于所述柔性基底的表面形成第二封装层。
2.根据权利要求1所述的柔性X射线探测器的制备方法,其特征在于:所述第一牺牲层包括在加热或光照下粘度降低的材质;所述第二牺牲层包括在加热或光照下粘度降低的材质。
3.根据权利要求1所述的柔性X射线探测器的制备方法,其特征在于:所述第一牺牲层包括蓝膜或UV膜,所述第二牺牲层包括蓝膜或UV膜。
4.根据权利要求1所述的柔性X射线探测器的制备方法,其特征在于:去除所述第一牺牲层的方法包括采用紫外光进行照射;去除所述第二牺牲层的方法包括采用紫外光进行照射。
5.根据权利要求1所述的柔性X射线探测器的制备方法,其特征在于:所述柔性基底包括PI层、PVA层及PET层中的一种或组合。
6.根据权利要求1所述的柔性X射线探测器的制备方法,其特征在于:所述柔性基底采用旋涂、烘干及固化工艺形成于所述第一刚性基底上;去除所述第一刚性基底的方法包括激光剥离法。
7.根据权利要求1所述的柔性X射线探测器的制备方法,其特征在于:所述第一封装层包括Al封装层、Parylene封装层及PET封装层中的一种或组合。
8.根据权利要求1所述的柔性X射线探测器的制备方法,其特征在于:所述第二封装层包括Al封装层、Parylene封装层及PET封装层中的一种或组合。
9.根据权利要求1所述的柔性X射线探测器的制备方法,其特征在于:所述第一刚性基底包括玻璃基底、金属基底、半导体基底、聚合物基底及陶瓷基底中的一种;所述第二刚性基底包括玻璃基底、金属基底、半导体基底、聚合物基底及陶瓷基底中的一种。
10.根据权利要求1所述的柔性X射线探测器的制备方法,其特征在于:还包括在所述第二封装层的表面形成保护层的步骤,其中,所述保护层包括具有单面胶层的Al膜及黑色吸光膜中的一种,且通过所述胶层将所述保护层与所述第二封装层进行结合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的