[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

第一氮化物半导体层；

第二氮化物半导体层，设置于所述第一氮化物半导体层上，且具有的带隙大于所述第一氮化物半导体层的带隙；

源极和漏极，设置于所述第二氮化物半导体层上；

栅极，设置于所述第二氮化物半导体层上，且于所述源极和所述漏极之间；

多个第一p型掺杂氮化物半导体岛，设置于所述第二氮化物半导体层上，以形成从所述第二氮化物半导体层突出的轮廓，其中所述第一p型掺杂氮化物半导体岛位于所述栅极和所述漏极之间，且部分的所述漏极覆盖在所述第一p型掺杂氮化物半导体岛之上，使得所述漏极的所述部分与所述第一p型掺杂氮化物半导体岛的轮廓共形；

第二p型掺杂氮化物半导体岛，设置于所述第二氮化物半导体层与所述栅极之间；以及

介电层，至少覆盖在所述栅极上。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述漏极具有第一顶表面，其位于所述第一p型掺杂氮化物半导体岛之间的间隔的正上方，且所述漏极还具有第二顶表面，其位于所述第一p型掺杂氮化物半导体岛的正上方，其中所述第一顶表面所处位置低于所述第二顶表面的所处位置。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述介电层覆盖所述漏极的所述第一顶表面和所述第二顶表面。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括漏极场板，其设置于所述第一p型掺杂氮化物半导体岛的上方。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述漏极场板的延伸长度大于至少一个所述第一p型掺杂氮化物半导体岛的宽度或长度。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一p型掺杂氮化物半导体岛通过相同的间距沿着一方向排列。

7.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一p型掺杂氮化物半导体岛的所述间距介于在0.1微米到10微米的范围内。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一p型掺杂氮化物半导体岛和第二p型掺杂氮化物半导体岛具有相同厚度，并具有相同的p型掺杂III-V族/氮化物半导体材料。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述第一氮化物半导体岛包括未掺杂的氮化镓(GaN)，所述第二氮化物半导体岛包括氮化铝镓(AlGaN)，所述第一和第二p型掺杂氮化物半导体岛各自包括p型氮化镓(p-GaN)。

10.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一氮化物半导体岛的至少一个表面与所述漏极接触，以形成至少一个界面。

11.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述漏极和所述第一p型掺杂氮化物半导体岛之间的界面是曲线形的。

12.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一p型掺杂氮化物半导体岛在所述第二氮化物半导体层上形成台阶状轮廓。

13.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，于垂直所述第二氮化物半导体层的方向上，所述漏极与任何一个所述第一p型掺杂氮化物半导体岛之间均存在重叠宽度。

14.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一p型掺杂氮化物半导体岛的侧表面被所述介电层覆盖。

15.如权利要求14所述的半导体器件，其特征在于，所述第一p型掺杂氮化物半导体岛的顶表面至少部分地被所述介电层覆盖。