[发明专利]MEMS扫描镜有效

专利信息
申请号: 202011635265.0 申请日: 2020-12-31
公开(公告)号: CN112817142B 公开(公告)日: 2023-05-16
发明(设计)人: 林育菁;畠山庸平 申请(专利权)人: 歌尔股份有限公司
主分类号: G02B26/08 分类号: G02B26/08;G02B26/10;G03B21/28;B81B7/02
代理公司: 北京正理专利代理有限公司 11257 代理人: 李远思
地址: 261031 山东省潍*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: mems 扫描
【权利要求书】:

1.一种MEMS扫描镜,包括反射镜、用于使所述反射镜绕旋转轴旋转的压电致动器及反射镜旋转角度感测装置,其特征在于,所述反射镜旋转角度感测装置为压阻式压力传感器,所述压阻式压力传感器包括:

第一导电类型导电半导体层;

形成在所述半导体层中具有第二导电类型的一个压阻区域和第一至第四电极接触区域,该压阻区域具有对称形状,第一电极接触区域和第二电极接触区域位于该压阻区域对称轴方向的两端,第三电极接触区域和第四电极接触区域位于压阻区域两侧关于该对称轴对称设置;

形成在所述半导体层中包围所述压阻区域的环形保护区域,该环形保护区域不与所述压阻区域接触,具有第一导电类型且杂质浓度大于所述半导体层的杂质浓度;

该压力传感器进一步包括:

形成在所述半导体层上的绝缘层;

形成在所述绝缘层上的分别与第一至第四电极接触区域电接触的第一至第四电极,以惠斯顿电桥方式电连接;以及

形成在所述绝缘层上与环形保护区域电接触的保护电极,所述保护电极用于施加保护电压以使所述压阻区域与环形保护区域形成的二极管被反向偏置。

2.根据权利要求1所述的MEMS扫描镜,其特征在于,所述压阻区域的形状为圆形、矩形或菱形。

3.根据权利要求1所述的MEMS扫描镜,其特征在于,所述电极接触区域的杂质浓度大于所述压阻区域的杂质浓度。

4.根据权利要求1所述的MEMS扫描镜,其特征在于,所述绝缘层上形成有邻近半导体衬底的第一布线层和位于第一布线层上方且与其绝缘的第二布线层,所述第二布线层在所述半导体层上的正投影覆盖所述第一布线层并至少部分地覆盖所述压阻区域。

5.根据权利要求4所述的MEMS扫描镜,其特征在于,用做公共端的第一电极和所述保护电极设置在第二布线层中,用于施加工作电压的第二电极和用于输出信号的第三电极及第四电极设置在第一布线层中。

6.根据权利要求1所述的MEMS扫描镜,其特征在于,所述第一导电类型为n型,所述第二导电类型为p型;或者,所述第一导电类型为p型,所述第二导电类型为n型。

7.根据权利要求1的MEMS扫描镜,其特征在于,所述压电致动器包括依次堆叠在半导体层的绝缘层上的下电极、压电体和上电极,所述下电极设置在第一布线层中,用作压电致动器的驱动电极。

8.根据权利要求1的MEMS扫描镜,其特征在于,压阻区域的对称轴方向与所述旋转轴平行。

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