[发明专利]一种晶圆复合清洗方法

说明书

本发明公开了一种晶圆复合清洗方法，包括以下步骤：将晶圆放置在晶圆清洗设备内；根据当前工作模式，调整复合腔体结构内各层引流腔的腔室大小，使晶圆与其其中一层引流腔相对应；晶圆支撑结构在圆周方向旋转；利用喷淋管向晶圆上表面喷射清洗液，同时利用晶圆支撑结构向晶圆下表面喷射清洗液，晶圆上、下表面的清洗液会从其外围扩散流入当前工作的引流腔，从该引流腔排至晶圆清洗设备外部；待清洗完毕后，风机过滤单元向下吹送纯净气体，同时启动抽气装置，由此形成吹风、抽风循环，干燥后，将晶圆转移至下一道工序。本发明能够同时清洗晶圆的上、下表面，不仅提高了晶圆的清洗效率，也提高了清洗效果，有效保证了晶圆品质。

技术领域

本发明涉及半导体工艺设备技术领域，尤其涉及一种晶圆复合清洗方法。

背景技术

化学清洗是利用各种化学试剂或有机溶剂来清除附着在物体表面的杂质的方法。在半导体制造领域，化学清洗是指清除吸附在半导体、金属材料以及用具等物体表面上的各种有害杂质或者油污的工艺过程。

晶圆清洗是以整个批次或者单一晶圆，通过化学清洗的方法，藉由化学品的浸泡或者喷洒去除脏污的工艺，其主要目的是清除晶圆表面的污染物，例如微尘颗粒(particle)、有机物(organic)、无机物以及金属离子(metal ion)等杂质。

目前，通常是通过湿法清洗设备上的喷淋头喷洒化学清洗液来去除晶圆表面的污染物，但目前所有的湿法清洗设备内只设置有一个清洗腔，因此一个湿法清洗设备的清洗腔内通常只使用同一种清洗液，不同类型的化学清洗液无法在同一个湿法清洗设备的清洗腔内进行分段清洗，单片式清洗设备的清洗效率很低。

而且，湿法清洗设备上只设置有从上往下喷射清洗液的传统喷淋管，该种传统设计只能对晶圆的上表面进行清洗，且清洗时，在离心力的作用下，清洗下来的颗粒污染物容易堆积在晶圆外围，在受到晶圆底部流场的影响，堆积在晶圆外围的颗粒污染物会粘附在晶圆的背面，这种传统湿法清洗设备的洁净能力很差，无法有效保证晶圆品质。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种晶圆复合清洗方法，用以解决上述背景技术中存在的问题。

一种晶圆复合清洗方法，具体包括以下步骤：

S1，利用晶圆夹取装置将晶圆放置在晶圆湿法清洗装置内；

所述晶圆湿法清洗装置包括工作舱、安装在工作舱内的晶圆清洗设备，工作舱上安装有风机过滤单元；所述晶圆清洗设备包括设备外壳、设置在设备外壳内的复合腔体结构、以及设置在复合腔体结构内的晶圆支撑结构，所述设备外壳上安装有抽气装置和至少一种喷淋管，复合腔体结构内部设置有多层腔室大小可调的引流腔，晶圆支撑结构可使晶圆悬浮在其上方；

S2，根据当前工作模式，调整复合腔体结构内各层引流腔的腔室大小，使晶圆与其其中一层引流腔相对应；

S3，晶圆支撑结构在圆周方向旋转，旋转过程中，晶圆下表面形成的旋转气流循环流动夹带走晶圆下表面的部分污染物；

S4，利用喷淋管向晶圆上表面喷射清洗液，同时利用晶圆支撑结构向晶圆下表面喷射清洗液，晶圆上、下表面的清洗液会从其外围扩散流入当前工作的引流腔，从该引流腔排至晶圆清洗设备外部；

S5，待清洗完毕后，风机过滤单元向下吹送纯净气体，同时启动抽气装置，由此形成吹风、抽风循环，在将复合腔体结构内的废气抽出的同时，对晶圆进行干燥；

S6，干燥后，通过晶圆夹取装置将晶圆转移至下一道工序。

优选地，所述复合腔体结构与晶圆支撑结构通过防溅罩隔开，防溅罩的上部固定有喷淋环。

优选地，所述复合腔体结构包括腔体外壳；

与腔体外壳的内侧壁相贴合且其上端部通过卡环与腔体外壳相固定的支撑环圈；