[发明专利]一种芯片过流保护电路及方法

权利要求书

1.一种芯片过流保护电路，其特征在于，应用于目标芯片(7)，包括：功率MOS管(1)、电流检测单元(2)、限流阈值自适应反馈单元(3)、迟滞比较单元(4)以及直流供电电源(5)；功率MOS管(1)的漏极接直流供电电源(5)，功率MOS管(1)的源极接电流检测单元(2)的输入端，功率MOS管(1)的栅极连接到限流阈值自适应反馈单元(3)的输出端；限流阈值自适应反馈单元(3)的一个输入端连接在功率MOS管(1)的源极，限流阈值自适应反馈单元(3)的另一个输入端与电流检测单元(2)的一个输出端连接，电流检测单元(2)的另一个输出端与目标芯片(7)连接；如果目标芯片(7)工作电流过大，通过电流检测单元(2)和限流阈值自适应反馈单元(3)组成的反馈网络，控制功率MOS管(1)的漏极和源极间的导通电阻增大，从而增大漏极和源极间的电压，达到降低目标芯片(7)电压的目的。

2.根据权利要求1所述的一种芯片过流保护电路，其特征在于，还包括控制器(6)，迟滞比较单元(4)的输出端与控制器(6)的输入端连接，控制器(6)的输出端与直流供电电源(5)的输出使能脚连接，控制器接收到来自迟滞比较单元(4)的过流指示信号，通过控制器(6)执行直流供电电源(5)断电。

3.根据权利要求1所述的一种芯片过流保护电路，其特征在于，所述的电流检测单元(2)包括SHUNT电阻R1以及比较器芯片A1，SHUNT电阻R1的一端作为电流检测单元(2)的输入端连接在功率MOS管(1)的源极，SHUNT电阻R1的另一端与目标芯片(7)连接，比较器芯片A1的两个输入端分别接在SHUNT电阻R1的两端，比较器芯片A1的输出端连接在限流阈值自适应反馈单元(3)的输入端。

4.根据权利要求3所述的一种芯片过流保护电路，其特征在于，所述的限流阈值自适应反馈单元(3)包括电阻分压网络(31)以及运算放大器A2，电阻分压网络(31)的输入端作为限流阈值自适应反馈单元(3)的第一输入端，连接功率MOS管(1)的源极，运算放大器A2的反相输入端作为限流阈值自适应反馈单元(3)的第二输入端，连接比较器芯片A1的输出端，运算放大器A2的正相输入端与电阻分压网络(31)的输出端连接，电阻分压网络(31)输出限流阈值电压Vth至运算放大器A2的正相输入端。

5.根据权利要求4所述的一种芯片过流保护电路，其特征在于，所述的电阻分压网络(31)包括电阻R2、电阻R3、电阻R4；电阻R2、电阻R3、电阻R4构成“Y”型结构，电阻R2与电阻R4串联后，电阻R2的非串联端连接在功率MOS管(1)的源极与SHUNT电阻R1之间，电阻R4的非串联端连接在运算放大器A2的正相输入端；电阻R3的一端连接在电阻R2与电阻R4串联公共点，另一端接VDD电源。

6.根据权利要求4所述的一种芯片过流保护电路，其特征在于，所述的迟滞比较单元(4)包括电阻R5、电阻R6以及运算放大器A3；运算放大器A3的反相输入端连接在运算放大器A2的输出端，运算放大器A3的正相输入端连接电阻R5的一端，电阻R5的另一端作为参考电压输入端；电阻R6的一端连接在运算放大器A3的正相输入端，另一端连接在运算放大器A3的输出端。

7.根据权利要求1所述的一种芯片过流保护电路，其特征在于，所述的目标芯片(7)是功放芯片、控制器芯片或者光电器件芯片。

8.一种采用权利要求1-7所述的芯片过流保护电路的芯片过流保护方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1：电流检测单元(2)实时检测流至目标芯片(7)的工作电流，如果工作电流在正常范围内，功率MOS管(1)饱和导通，目标芯片(7)正常；

步骤S2：如果工作电流过大，通过电流检测单元(2)和限流阈值自适应反馈单元(3)组成的反馈网络，控制功率MOS管(1)的漏极和源极间的导通电阻增大，从而增大漏极和源极间的电压，降低目标芯片(7)的电压。