[发明专利]LED驱动电路在审
申请号: | 202011635965.X | 申请日: | 2020-12-31 |
公开(公告)号: | CN112669770A | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 刘召军;吕志坚;何先顺;陈锐;黄利将;盘福波;叶嘉豪 | 申请(专利权)人: | 深圳市思坦科技有限公司 |
主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 潘登 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙华区大浪街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | led 驱动 电路 | ||
本发明实施例公开了一种LED驱动电路,包括:信号接收模块,所述信号接收模块用于接收行驱动信号、第一列驱动信号和第二列驱动信号;信号保持模块,所述信号保持模块用于根据所述行驱动信号保持所述第一列驱动信号;调节模块,所述调节模块与LED芯片连接,所述调节模块用于接收调节信号,并根据所述第一列驱动信号、所述第二列驱动信号和所述调节信号驱动所述LED芯片发光。本发明实施例提供的LED驱动电路可同时实现高像素密度和大面积的Micro‑LED显示屏的驱动,同时可实现低功耗且高效率的驱动,使Micro‑LED显示模组有更好的亮度均匀性和对比度。
技术领域
本发明实施例涉及半导体技术领域,尤其涉及一种LED驱动电路。
背景技术
微型发光二极管(Micro Light-Emitting Diode,Micro-LED)具有自发光显示特性,其为全固态发光二极管,寿命长、亮度高、功耗低、体积较小、具有超高分辨率,可应用于高温或辐射等极端环境,越来越多的厂家已将其作为新一代显示技术进行规划。
Micro-LED的产品形态上可分为两个方向:高像素密度(PPI(Pixels Per Inch,像素密度)1000)Micro-LED阵列的微显示器和低像素密度(PPI1000)Micro-LED阵列的较大尺寸显示屏。所以对于Micro-LED的驱动方法就分为高像素密度显示驱动和低像素密度显示驱动。然而,高像素密度显示驱动和低像素密度显示驱动均不能够实现高像素密度的大面积显示屏的驱动。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供一种LED驱动电路,以实现高像素密度且大面积的Micro-LED阵列驱动。
本发明实施例提供一种LED驱动电路,包括:
信号接收模块,所述信号接收模块用于接收行驱动信号、第一列驱动信号和第二列驱动信号;
信号保持模块,所述信号保持模块用于根据所述行驱动信号保持所述第一列驱动信号;
调节模块,所述调节模块与LED芯片连接,所述调节模块用于接收调节信号,并根据所述第一列驱动信号、所述第二列驱动信号和所述调节信号驱动所述LED芯片发光。
进一步的,所述信号接收模块包括第一NMOS管和第二NMOS管,所述第一NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极连接且用于接收行驱动信号,所述第一NMOS管的漏极用于接收第一列驱动信号,所述第二NMOS管的漏极用于接收第二列驱动信号。
进一步的,所述信号保持模块包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管;
所述第一PMOS管的栅极、所述第三NMOS管的栅极、所述第二PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的漏极四者相连接;
所述第二PMOS管的栅极、所述第四NMOS管的栅极、所述第一PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的漏极四者相连接;
所述第三NMOS管的栅极与与所述第一NMOS管的源极连接,所述第四NMOS管的栅极与所述第二NMOS管的源极连接;
所述第一PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的漏极连接,所述第二PMOS管的漏极与所述第四NMOS管的漏极连接;
所述第一PMOS管的源极和第二PMOS管的源极均连接工作电源正极;
所述第三NMOS管的源极和第四NMOS管的源极均连接工作电源负极。
进一步的,所述调节模块包括第三PMOS管和第四PMOS管,所述第三PMOS管的栅极用于接收调节信号,所述第三PMOS管的源极连接工作电源正极,所述第三PMOS管的漏极与所述第四PMOS管的源极连接,所述第四PMOS管的栅极与所述第三NMOS管的栅极连接,所述第四PMOS管的漏极与所述LED芯片连接。
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