[发明专利]核壳量子点及其制备方法

说明书

本申请涉及一种核壳量子点及其制备方法。该核壳量子点的制备方法包括如下步骤：提供硅量子棒；在所述硅量子棒表面生长无镉半导体壳层，得到核壳量子点。本申请通过在硅量子棒表面生长无镉半导体壳层，这样得到的核壳量子点包括硅量子棒和包覆在硅量子棒表面的无镉半导体壳层，该制备方法得到无镉材料的核壳量子点消除了后续应用方面的重金属污染危害，同时提高了核壳量子点整体的生物亲和度和利用度，扩大了应用领域；而且无镉半导体壳层的包覆，不仅提高了硅量子点的耐氧化性，而且提高了其稳定性，因此具有很好的发光性能，可以促进其在后续发光器件中的应用。

技术领域

本申请属于纳米材料技术领域，具体涉及一种核壳量子点及其制备方法。

背景技术

量子点(QD)已经成为新一代荧光显示纳米材料，其光学性能可以通过人为控制其中的离子以及表面配体而得到调整。传统的量子点经常含有有毒的重金属镉，由于镉在纳米材料中广泛使用以及其自身长半衰期的特点，使得无镉量子点成为纳米材料瞩目的焦点。然而，目前无镉量子点种类及其制备工艺有限。

因此，相关技术有待改进。

发明内容

本申请的目的在于提供一种核壳量子点及其制备方法，旨在解决如何提供更多无镉量子点的技术问题。

为实现上述目的，本申请采用的技术方案如下：

本申请一方面提供一种核壳量子点的制备方法，包括如下步骤：

提供硅量子棒；

在所述硅量子棒表面生长无镉半导体壳层，得到核壳量子点。

本申请提供的核壳量子点的制备方法，直接在硅量子棒表面生长无镉半导体壳层，这样得到的核壳量子点包括硅量子棒和包覆在硅量子棒表面的无镉半导体壳层。本申请通过制备无镉材料的核壳量子点替代传统含镉量子点材料，消除了后续应用方面的重金属污染危害，同时提高了核壳量子点整体的生物亲和度和利用度，扩大了应用领域。而且无镉半导体壳层的包覆，不仅提高了硅量子点的耐氧化性，而且提高了其稳定性，因此具有很好的发光性能，可以促进其在后续发光器件中的应用。

本申请另一方面提供一种核壳量子点，包括硅量子棒和包覆在所述硅量子棒表面的无镉半导体壳层。

本申请提供的核壳量子点是以硅量子棒为核、无镉半导体壳层为壳的核壳量子点，这样的核壳量子点，不仅没有镉重金属污染危害，而且通过硅材料提高了核壳量子点整体的生物亲和度和利用度，扩大了应用领域；同时硅量子棒表面通过无镉半导体壳层的包覆，不仅提高了硅量子点的耐氧化性，而且提高了其稳定性，因此这样的核壳量子点具有很好的发光性能，可以促进其在后续发光器件中的应用。

附图说明

图1是本申请实施例的核壳量子点的制备方法流程示意图；

图2是本申请实施例制备的核壳量子点的发光检测效果图。

具体实施方式

为了使本申请要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

一方面，本申请实施例提供了一种核壳量子点的制备方法，如图1所示，该制备方法包括如下步骤：

S01：提供硅量子棒；

S02：在所述硅量子棒表面生长无镉半导体壳层，得到核壳量子点。