[发明专利]一种复合电磁屏蔽薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种复合电磁屏蔽薄膜，其特征在于，包括：至少一层细菌纤维素薄膜层和至少一层MXene薄膜层，其中，所述细菌纤维素薄膜层与所述MXene薄膜层交替排列，且所述复合电磁屏蔽薄膜的两个外表面均为所述细菌纤维素薄膜层。

2.根据权利要求1所述的复合电磁屏蔽薄膜，其特征在于，所述细菌纤维素薄膜层的厚度为1μm至50μm。

3.根据权利要求1所述的复合电磁屏蔽薄膜，其特征在于，所述MXene薄膜层的厚度为1μm至55μm。

4.根据权利要求1所述的复合电磁屏蔽薄膜，其特征在于，所述复合电磁屏蔽薄膜的总厚度为3μm至250μm。

5.根据权利要求1所述的复合电磁屏蔽薄膜，其特征在于，所述复合电磁屏蔽薄膜具有2-10层所述MXene薄膜层，以及3-11层所述细菌纤维素薄膜层。

6.根据权利要求1所述的复合电磁屏蔽薄膜，其特征在于，所述复合电磁屏蔽薄膜中的细菌纤维素与MXene的质量比为1～5：1～5。

7.根据权利要求1所述的复合电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：

(1)细菌纤维素纤维匀浆的制备

(2)MXene分散液的制备

(3)分别滤干所述的细菌纤维素纤维匀浆和MXene分散液，得到细菌纤维素薄膜层和MXene薄膜层，使所述细菌纤维素薄膜层和所述MXene薄膜层之间交替分布以形成所述的复合电磁屏蔽薄膜。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)包括：

首先对原料细菌纤维素湿凝胶进行预处理，所述预处理为原料细菌纤维素湿凝胶先后多次在碱溶液和酸溶液中浸泡和超声冲洗，然后对预处理产物进行高速搅拌匀浆处理；

所述步骤(2)包括，Ti₃AlC₂前驱体经过LiF/HCl溶液刻蚀、乙醇嵌插、超声剥离得到MXene分散液；

所述步骤(3)包括，所述细菌纤维素纤维匀浆与所述MXene分散液交替抽滤成膜。

9.根据权利要求7或8所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)包括：分别配置不同浓度的NaOH溶液，采用该不同浓度的NaOH溶液依次对细菌纤维素湿凝胶浸泡处理，每次浸泡处理的时间为05-10h，NaOH溶液浓度为0.5-5wt.％，再洗涤至浸出液呈中性；将经碱处理后的细菌纤维素湿凝胶进行酸处理，采用0.1-5wt.％的醋酸溶液处理，处理时间为1-30h，最后冲洗细菌纤维素湿凝胶至浸出液呈中性。

10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述的细菌纤维素纤维匀浆浓度为0.1-10％wt.％，所述的MXene分散液的浓度为0.1-10mg/mL。