[发明专利]半导体器件的封装方法

权利要求书

1.一种半导体器件的封装方法，其特征在于，包括：

提供第一衬底晶圆，所述第一衬底晶圆的上表面形成有多个芯片；

在所述第一衬底晶圆上形成支撑层，所述支撑层内具有第一开口，所述第一开口贯穿所述支撑层暴露出所述芯片；

在所述支撑层上形成封盖层，所述封盖层覆盖所述第一开口以形成空腔；

切割所述封盖层、所述支撑层和所述第一衬底晶圆。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，形成所述支撑层的方法包括：

提供支撑膜层，将所述支撑膜层粘接于所述第一衬底晶圆上，所述支撑膜层覆盖所述第一衬底晶圆的上表面及形成于所述第一衬底晶圆上表面的芯片；

图形化所述支撑膜层，形成多个独立的第一开口，所述第一开口暴露所述芯片，且所述第一开口外围的支撑膜层形成所述支撑层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，在形成支撑层后，对所述支撑层进行固化，所述固化的温度为200℃-300℃，所述固化的工艺时间为1.5h-2.5h。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，所述支撑层的材料包括有机材料，所述有机材料包括光刻胶、干膜和液态干膜中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，所述支撑层的厚度为0.10μm～4μm。

6.根据权利要求1或4所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，所述封盖层的材料包括：有机材料，所述有机材料包括光刻胶和干膜中的至少一种。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，形成所述封盖层的方法包括：

提供封盖层；

将所述封盖层粘接于所述支撑层上，所述封盖层覆盖所述第一开口形成空腔；

对所述封盖层进行固化。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，所述封盖层的固化温度为200℃-300℃，所述固化的工艺时间为1.5h-2.5h。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，所述第一衬底晶圆具有器件区和切割道区，所述芯片形成于所述器件区；所述第一衬底晶圆具有定位标记，所述定位标记形成于切割道区中切割道的交接处；所述支撑层暴露出所述定位标记；所述封盖层暴露出所述定位标记。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，所述支撑层暴露出所述定位标记的方法包括：

形成所述第一开口之前，或者，形成所述第一开口之后，对所述支撑膜层进行图形化，以使所述支撑层暴露出所述定位标记；

或者，在光刻所述支撑膜层形成第一开口时，对所述支撑膜层进行图形化，以使所述支撑层暴露出所述定位标记。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，所述封盖层暴露出所述定位标记的方法包括：在所述支撑层上形成封盖层之后，对所述封盖层进行图形化，以使所述封盖层暴露出所述定位标记。

12.根据权利要求9所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，在所述支撑层上形成封盖层之后，对所述封盖层和所述支撑层进行图形化，以使所述封盖层和所述支撑层均暴露出所述定位标记。

13.根据权利要求9所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，在所述第一衬底晶圆上形成支撑层之前，在所述切割道区形成所述定位标记。

14.根据权利要求9所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，根据切割道交接位置和形状在所述第一衬底晶圆上形成所述定位标记。