[发明专利]一种液晶显示面板、薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

在第一道光罩制程中，在玻璃基板层制备栅极层并图形化栅极层；在栅极层远离玻璃基板层的一面制备栅极绝缘层、有源层、接触层、源漏极层及光刻胶层；

在第二道光罩制程中，对光刻胶层进行曝光显影；进行第一次湿刻，图形化源漏极层，形成源漏极区域和有源区域的金属导线结构；进行第一次干刻，图形化有源层和接触层，形成有源层和接触层的岛状结构；进行氧气灰化，降低光刻胶层的厚度以露出沟道区域的源漏极层；进行第二次湿刻，图形化漏源极层；进行第二次干刻，刻蚀有源层和接触层，形成薄膜晶体管结构；

其中，源漏极层包括第一氮化物导电层、金属层和第二氮化物导电层,通过将源漏极层靠近光刻胶层的一侧设置为第二氮化物导电层，利用氮化物的刻蚀速率慢的特点，增大漏源极层对接触层的遮盖，减小接触层的拖尾大小；

和/或，第二次湿刻的持续时间为85S～95S，通过缩短第二次湿刻的时间，减少漏源层被刻蚀的面积，增加刻蚀之后的漏源层的临界尺寸，增大漏源极层对接触层的遮盖，减小接触层的拖尾大小；

和/或，第二次干刻的持续时间为40S～50S，通过延长第二次干刻的时间，增大拖尾被刻蚀的面积，减小接触层的拖尾大小；

第二次干刻后，位于漏源极层的边缘的接触层的拖尾大小为0.15μm～0.35μm、栅极层和漏源极层之间的通道长度为4.2μm～5.2μm、沟道区域的长度大于3.4μm；

接触层的初始厚度为3900A，以使得进行第二次干刻之后，接触层的拖尾大小满足小于0.35μm的要求；

漏源极层的初始厚度为4350A，曝光显影后的光刻胶层的尺寸为5.0μm～5.3μm，第一次湿刻和第二次湿刻的总持续时间为145S～150S，第二次湿刻后的漏源极层的厚度为3800A。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，还包括：

在第三道光罩制程中，在源漏极层远离接触层的一面制备钝化层并图形化钝化层；

在第四道光罩制程中，在钝化层远离源漏极层的一面制备透明电极层并图形化透明电极层。

3.一种薄膜晶体管，其特征在于，基于权利要求1或2所述的薄膜晶体管的制备方法制备，包括依次设置的玻璃基板层、栅极层、栅极绝缘层、有源层、接触层及源漏极层；

其中，源漏极层包括第一氮化物导电层、金属层和第二氮化物导电层。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，第一氮化物导电层或第二氮化物导电层为氮化钼层和氮化钛层中的一种。

5.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，金属层或栅极层为铝材料层、铜材料层和银材料层中的一种。

6.如权利要求3至5任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括设置于源漏极层远离接触层的一面的钝化层以及设置于钝化层远离源漏极层的一面的透明电极层。

7.一种液晶显示面板，其特征在于，包括：

液晶像素；

源极驱动器；

栅极驱动器；以及

如权利要求3至6任一项所述的薄膜晶体管，薄膜晶体管的漏极层、源极层和栅极层分别与液晶像素的像素电极、源极驱动器及栅极驱动器连接。