[发明专利]发光器件及其制备方法在审
申请号: | 202011639297.8 | 申请日: | 2020-12-31 |
公开(公告)号: | CN114695737A | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 王天锋 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 曹柳 |
地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种发光器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
制备包括依次叠层设置的阳极、空穴功能层、量子点发光层、电子功能层和阴极的发光器件;其中,所述电子功能层中包括金属氧化物传输材料;
对所述发光器件进行紫外光照射处理。
2.如权利要求1所述的发光器件的制备方法,其特征在于,所述量子点发光层中包括核壳结构的量子点材料,所述量子点材料的外壳层含有锌元素。
3.如权利要求1或2所述的发光器件的制备方法,其特征在于,所述紫外光照射处理的步骤包括:在紫外光波长为250~420nm,光波密度10~300mJ/cm2的条件下,对所述发光器件照射10~60min;
和/或,所述紫外光照射处理的条件还包括:在H2O含量小于1ppm,温度为80~120℃的环境下进行。
4.如权利要求3所述的发光器件的制备方法,其特征在于,所述紫外光照射处理的步骤包括:采用波长为320~420nm,光波密度10~150mJ/cm2的紫外光波从所述阳极一侧进行照射处理10~60min;
或者,所述紫外光照射处理的步骤包括:采用波长为250~320nm,光波密度100~300mJ/cm2的紫外光波从所述阴极一侧进行照射处理10~60min。
5.如权利要求4所述的发光器件的制备方法,其特征在于,所述金属氧化物传输材料选自:ZnO、TiO2、Fe2O3、SnO2、Ta2O3中的至少一种;
和/或,所述金属氧化物传输材料选自:掺杂有金属元素的ZnO、TiO2、Fe2O3、SnO2、Ta2O3中的至少一种,其中,所述金属元素包括铝、镁、锂、镧、钇、锰、镓、铁、铬、钴中至少一种;
和/或,所述金属传输材料的粒径小于等于10nm。
6.如权利要求4所述的发光器件的制备方法,其特征在于,所述量子点材料的外壳层包括:ZnS、ZnSe、ZnTe、CdZnS、ZnCdSe中的至少一种,或者
所述量子点材料的外壳层包括:ZnS、ZnSe、ZnTe、CdZnS、ZnCdSe中的至少两种形成的合金材料。
7.如权利要求4~6任一所述的发光器件的制备方法,其特征在于,所述电子传输层的厚度为10~200nm;
和/或,所述量子点发光层的厚度为8~100nm;
和/或,所述量子点材料的外壳层厚度为0.2~6.0nm。
8.如权利要求7所述的发光器件的制备方法,其特征在于,当紫外光波从所述阴极一侧进行照射,且所述电子传输层的厚度低于80nm时,所述紫外光照射处理的时长为15分钟~45分钟;
或者,当紫外光波从所述阴极一侧进行照射,且所述电子传输层的厚度高于80nm时,所述紫外光照射处理的时长为30分钟~90分钟。
9.如权利要求8所述的发光器件的制备方法,其特征在于,所述阴极包括Mg、Ag、Al、Ca中的至少一种金属材料,或者
所述阴极包括Mg、Ag、Al、Ca中的至少两种的合金材料。
10.一种发光器件,其特征在于,所述发光器件由如权利要求1~9任一所述的方法制得。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择