[发明专利]应用于人造无机石的预处理填充液及其预处理方法与应用

权利要求书

1.一种应用于人造无机石的预处理填充液，其特征在于，包括A组分和B组分，所述A组分包括质量百分数为0.1-1％的硅烷偶联剂；所述B组分由多种粒径不同的硅溶胶填充剂组成，具体包括质量百分数为1-3％的粒径范围为135-85nm的硅溶胶、质量百分数为4-6％的粒径范围为60-80nm的硅溶胶、质量百分数为5-8％的粒径范围为8-30nm的硅溶胶；

所述A组分还包括质量百分数为2.5-4.5％的阻热剂；所述阻热剂选自氮化硅。

2.如权利要求1所述的预处理填充液，其特征在于，所述硅烷偶联剂选自南京向前化工有限公司牌号为KH550、KH570的硅烷偶联剂；所述硅溶胶购自美国格雷斯公司的纳米硅溶胶。

3.如权利要求1所述的预处理填充液，其特征在于，该预处理填充液包括A组分和B组分，所述A组分包括质量百分数为0.5％的硅烷偶联剂和质量百分数为3.5％的阻热剂；所述B组分由多种粒径范围不同的硅溶胶填充剂组成，分别包括质量百分数为1.25％的粒径范围为105nm的硅溶胶、质量百分数为4.8％的粒径范围为65nm的硅溶胶、质量百分数为6.8％的粒径范围为25nm的硅溶胶。

4.一种人造无机石打磨抛光前的预处理方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)利用打磨上光设备对人造无机石进行表面预抛光磨削，使人造无机石表面平整，清扫人造无机石表面的碎屑，对人造无机石进行初步预热；

(2)借助人造无机石的温度，将预处理填充液的A组分滴入人造无机石的表面，利用打磨上光设备的一到两组磨料，将A组分打磨涂覆在人造无机石的表面，控制滴入速度和打磨涂覆时间，使其渗透入人造无机石的毛孔及微裂纹内；

(3)A组分表面填充完后，再将预处理填充液的B组分滴入无机石的表面，利用打磨上光设备的一到两组磨料，将B组分打磨涂覆在人造无机石的表面，控制滴入速度和打磨涂覆时间，使其渗透入人造无机石的毛孔及微裂纹内，然后与A组分反应，充分固化填充毛孔及微裂纹，并在人造无机石的表面形成一层均匀隔断阻热层；

所述A组分的配方量是指质量百分数为0.1-1％的硅烷偶联剂、质量百分数为2.5-4.5％的阻热剂、余量的水，上述组分的质量百分数之和为100％；所述阻热剂选自氮化硅；所述B组分由多种粒径范围不同的硅溶胶填充剂组成，具体包括质量百分数为1-3％的粒径范围为135-85nm的硅溶胶、质量百分数为4-6％的粒径范围为60-80nm的硅溶胶、质量百分数为5-8％的粒径范围为20-30nm的硅溶胶和余量的水，上述组分的质量百分数之和为100％。

5.如权利要求4所述的预处理方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述初步预热的温度控制在45-75℃；

在步骤(2)中，所述预处理填充液的A组分添加量为50-65ml/m²；A组分滴入时间控制在8-10s，打磨涂覆时间15-25s；打磨上光设备的磨盘公转速度为80-120r/min，安装在磨盘上的磨料自转速度为1200-1400r/min；

在步骤(3)中，所述预处理填充液的B组分添加量为35-45ml/m²；B组分滴入时间控制在8-10s，打磨涂覆时间20-45s；打磨上光设备的磨盘公转速度为80-120r/min，安装在磨盘上的磨料自转速度为1200-1400r/min。

6.如权利要求5所述的预处理方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述A组分制备方法如下：将配方量的硅烷偶联剂和水加入分散缸内中，启动搅拌，搅拌速度为400-600r/min，搅拌时间为5-10min；缓慢加入配方量的阻热剂，再用研磨机研磨至无粗粒，转速为800r/min，研磨时间为5-8min。