[发明专利]一种基于PWM波调节的可控高压电压基准源

权利要求书

1.一种基于PWM波调节的可控高压电压基准源，其特征在于，包括PWM波调节高电压基准单元电路，所述PWM波调节高电压基准单元电路包括：晶体管Q1、第一运算放大器U1、低通滤波器、内部基准源、第七电阻R7、光电耦合器U4、内部信号地F、辅助电源端VCC、外部输入参考端REF、阴极端CATHODE和阳极端ANODE；所述晶体管Q1的集电极或漏极连接阴极端CATHODE，晶体管Q1的发射极或源极分别连接第一运算放大器U1的接地端、低通滤波器的接地端、第七电阻R7的一端、内部基准源的接地端和内部信号地F并连接所述阳极端ANODE，晶体管Q1的基极或栅极连接第一运算放大器U1的输出端，第一运算放大器U1的电源端分别连接低通滤波器的电源端和内部基准源的输入端并连接辅助电源端VCC，第一运算放大器U1的同相输入端连接外部输入参考端REF，第一运算放大器U1的反向输入端连接低通滤波器的输出端，低通滤波器的输入端连接光电耦合器U4的发射极和第七电阻R7的另一端，光电耦合器U4的集电极连接内部基准源的输出端；所述晶体管Q1的集电极或漏极在所述PWM波调节高电压基准单元电路内部开路，所述光电耦合器U4的输入端的输入电流PWM波流过光电耦合器U4的发光二极管。

2.如权利要求1所述的可控高压电压基准源路，其特征在于，所述晶体管Q1包括双极三极管、结型场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管和绝缘栅双极晶体管。

3.如权利要求1所述的可控高压电压基准源，其特征在于，所述运算放大器包括轨到轨运算放大器和非轨到轨运算放大器。

4.如权利要求1所述的可控高压电压基准源，其特征在于，所述阳极端ANODE和阴极端CATHODE分别相当于等效齐纳二极管的阳极和阴极。

5.如权利要求1所述的可控高压电压基准源，其特征在于，所述内部基准源包括可编程基准集成电路U2和第五电阻R5；所述第五电阻R5的一端连接所述内部基准源的输入端，所述第五电阻R5的另一端连接可编程基准集成电路U2的阴极端和参考端并连接所述内部基准源的输出端，可编程基准集成电路U2的阳极端连接所述内部基准源的接地端。

6.如权利要求1所述的可控高压电压基准源，其特征在于，所述低通滤波器包括第二运算放大器U3、第三电容C3、第四电容C4、第三电阻R3和第四电阻R4；所述第四电容C4的一端分别连接第三电容C3的一端和第二运算放大器U3的接地端并连接低通滤波器的接地端，所述第四电容C4的另一端连接第四电阻R4的一端并连接低通滤波器的输出端，第四电阻R4的另一端分别连接第三电阻R3的一端和第三电容C3的另一端，第三电阻R3的另一端连接第二运算放大器U3的输出端和反向输入端，第二运算放大器U3的同相输入端连接低通滤波器的输入端，第二运算放大器U3的电源端连接低通滤波器的电源端。

7.如权利要求1所述的可控高压电压基准源，其特征在于，所述PWM波调节高电压基准单元电路还包括积分电路；所述积分电路的第一端连接晶体管Q1的基极或栅极，积分电路的第二端连接阳极端ANODE，积分电路的第三端连接第一运算放大器U1的输出端；

所述积分电路包括第一电阻R1和第二电容C2，所述第一电阻R1的一端连接第二电容C2的一端并连接所述积分电路的第一端，所述第一电阻R1的另一端连接所述积分电路的第三端，第二电容C2的另一端连接所述积分电路的第二端。

8.如权利要求1所述的可控高压电压基准源，其特征在于，所述PWM波调节高电压基准单元电路还包括第一电容C1、第二电阻R2、第五电容C5和第六电阻R6；所述第一电容C1连接在第一运算放大器U1的电源端和接地端之间，第二电阻R2连接在阳极端ANODE和晶体管Q1的发射极或源极之间，第五电容C5的一端连接内部信号地的输出端，第五电容C5的另一端连接内部基准源的接地端；所述第六电阻R6的两端分别连接光电耦合器U4的发射极和集电极。

9.如权利要求1所述的可控高压电压基准源，其特征在于，所述辅助电源端VCC的电压大于可编程基准集成电路U2的参考电压，大于晶体管Q1的发射结正向电压或栅极电压阈值。