[发明专利]基于三值忆阻器的数字与门实现方法有效

专利信息
申请号: 202011641816.4 申请日: 2020-12-31
公开(公告)号: CN112803943B 公开(公告)日: 2023-06-16
发明(设计)人: 王晓媛;董传涛;金晨曦 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: H03K19/20 分类号: H03K19/20;G11C13/00
代理公司: 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 代理人: 周希良
地址: 310018 浙江*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 基于 三值忆阻器 数字 与门 实现 方法
【权利要求书】:

1.基于三值忆阻器的数字与门实现方法,其特征在于:

所采用的三值忆阻器为压控阈值型三值忆阻器,其数学模型由下式描述:

式中的a,b,c,d,e是模型中的可调参数,x为系统内部状态变量,v(t)表示忆阻器两端的电压,i(t)表示流经忆阻器的电流,vth1和vth2代表两个不同的阈值电压,RL、RM、RH分别对应于该模型从低到高的三种不同的阻态,分别代表三值逻辑的“0”、“1”、“2”;

采用三个上述三值忆阻器构成所述数字与门,其中两个作为输入忆阻器,另一个作为输出忆阻器;

设Rin1和Rin2均是输入忆阻器,Rout是输出忆阻器,V是直流电源;忆阻器Rin1和Rin2的初始状态是数字与门的两个输入,Rout的初始状态为RH;数字与门逻辑的真值表如下表所示:

数字与门的工作分为两个阶段:

第一阶段是初始阶段,在这一阶段中,直流电源V输出一个较小的测量电压VMS,用于测量各个忆阻器的初始状态,通过读取忆阻器两端的电压和流经的电流来测算忆阻器的阻值;所述测量电压VMS使得每个忆阻器上的分压都不会超过设定的阈值电压,因此忆阻器就不会改变其状态;

第二阶段是运行阶段,直流电源V输出运行电压VOP用于完成逻辑运算;

情况一:令数学模型中的a=e=10,b=10000,c=d=0.2,阈值电压vth1和vth2分别设为0.9V和1.1V;RH、RM、RL分别为10kΩ、1kΩ、100Ω,且第一忆阻器M1作为第一输入忆阻器,第二忆阻器M2作为第二输入忆阻器,第三忆阻器M3作为输出忆阻器;第一忆阻器M1的正极与直流电源V相连,第一忆阻器M1的负极与第二忆阻器M2的正极相连,第二忆阻器M2的负极与第三忆阻器M3的正极相连,第三忆阻器M3的负极接地;

在数字与门的运行电压VOP为1.5V下:

在运算阶段,当输入均为逻辑“0”时,输入忆阻器的阻值和为20kΩ,输出忆阻器Rout两端分压为0.5V;当输入为“0”和“1”时,输入忆阻器的阻值和为11kΩ,输出忆阻器Rout两端分压为0.714V;当输入为“0”和“2”时,输入忆阻器的阻值和为10.1kΩ,输出忆阻器Rout两端分压为0.746V;在这三种情况下,输出忆阻器Rout两端的电压均未超过阈值0.9V,因此Rout保持初始状态RH不变,即输出逻辑“0”;

当输入均为逻辑“1”时,输入忆阻器的阻值和为2kΩ,输出忆阻器两端的分压为1.25V;当输入为“1”和“2”时,此时输入忆阻器的阻值和为1.1kΩ,输出忆阻器两端的分压为1.35V;在这两种情况下,输出忆阻器Rout两端的电压均超过阈值电压vth1=0.9V,因此RH均会置成RM;因为输出忆阻器的阻值下降,因此器件两端的分压也会减小;前一种情况下,输出忆阻器两端的电压下降为0.5V,后一种情况下则是0.714V;这两种情况下由于Rout两端的电压没有超过vth2=1.1V,因此忆阻器的状态不会发生进一步的变化,因此逻辑门输出逻辑“1”;

当输入均为逻辑“2”时,输入忆阻器的阻值和为200Ω,输出忆阻器两端的分压为1.47V,大于阈值电压vth1=0.9V,使得Rout先被置为RM;在Rout被置为RM后,输出忆阻器两端的分压变为1.25V,仍大于阈值电压vth2=1.1V,所以输出忆阻器的状态最终切换为RL,即逻辑门输出逻辑“2”;

情况二:令数学模型中的a=e=10,b=10000,c=d=0.2,阈值电压vth1和vth2分别设为0.9V和1.1V;RH、RM、RL分别为10kΩ、1kΩ、100Ω,且第一忆阻器M1作为第一输入忆阻器,第二忆阻器M2作为第二输入忆阻器,第三忆阻器M3作为输出忆阻器;第一忆阻器M1的负极与直流电源V相连,第一忆阻器M1的正极与第二忆阻器M2的负极相连,第二忆阻器M2的正极与第三忆阻器M3的正极相连,第三忆阻器M3的负极接地;

在数字与门的运行电压VOP为1.5V下:

在运算阶段,当输入均为逻辑“0”时,输入忆阻器的阻值和为20kΩ,输出忆阻器Rout两端分压为0.5V;当输入为“0”和“1”时,输入忆阻器的阻值和为11kΩ,输出忆阻器Rout两端分压为0.714V;当输入为“0”和“2”时,输入忆阻器的阻值和为10.1kΩ,输出忆阻器Rout两端分压为0.746V;在这三种情况下,输出忆阻器Rout两端的电压均未超过阈值0.9V,因此Rout保持初始状态RH不变,即输出逻辑“0”;

当输入均为逻辑“1”时,输入忆阻器的阻值和为2kΩ,输出忆阻器两端的分压为1.25V;当输入为“1”和“2”时,此时输入忆阻器的阻值和为1.1kΩ,输出忆阻器两端的分压为1.35V;在这两种情况下,输出忆阻器Rout两端的电压均超过阈值电压vth1=0.9V,因此RH均会置成RM;因为输出忆阻器的阻值下降,因此器件两端的分压也会减小;前一种情况下,输出忆阻器两端的电压下降为0.5V,后一种情况下则是0.714V;这两种情况下由于Rout两端的电压没有超过vth2=1.1V,因此忆阻器的状态不会发生进一步的变化,因此逻辑门输出逻辑“1”;

当输入均为逻辑“2”时,输入忆阻器的阻值和为200Ω,输出忆阻器两端的分压为1.47V,大于阈值电压vth1=0.9V,使得Rout先被置为RM;在Rout被置为RM后,输出忆阻器两端的分压变为1.25V,仍大于阈值电压vth2=1.1V,所以输出忆阻器的状态最终切换为RL,即逻辑门输出逻辑“2”;

情况三:令数学模型中的a=e=10,b=10000,c=d=0.2,阈值电压vth1和vth2分别设为0.9V和1.1V;RH、RM、RL分别为10kΩ、1kΩ、100Ω,且第一忆阻器M1作为第一输入忆阻器,第二忆阻器M2作为第二输入忆阻器,第三忆阻器M3作为输出忆阻器;第一忆阻器M1的正极与直流电源V相连,第一忆阻器M1的负极与第二忆阻器M2的正极相连,第二忆阻器M2的负极与第三忆阻器M3的负极相连,第三忆阻器M3的正极接地;

在数字与门的运行电压VOP为-1.5V下:

在运算阶段,当输入均为逻辑“0”时,输入忆阻器的阻值和为20kΩ,输出忆阻器Rout两端分压为0.5V;当输入为“0”和“1”时,输入忆阻器的阻值和为11kΩ,输出忆阻器Rout两端分压为0.714V;当输入为“0”和“2”时,输入忆阻器的阻值和为10.1kΩ,输出忆阻器Rout两端分压为0.746V;在这三种情况下,输出忆阻器Rout两端的电压均未超过阈值0.9V,因此Rout保持初始状态RH不变,即输出逻辑“0”;

当输入均为逻辑“1”时,输入忆阻器的阻值和为2kΩ,输出忆阻器两端的分压为1.25V;当输入为“1”和“2”时,此时输入忆阻器的阻值和为1.1kΩ,输出忆阻器两端的分压为1.35V;在这两种情况下,输出忆阻器Rout两端的电压均超过阈值电压vth1=0.9V,因此RH均会置成RM;因为输出忆阻器的阻值下降,因此器件两端的分压也会减小;前一种情况下,输出忆阻器两端的电压下降为0.5V,后一种情况下则是0.714V;这两种情况下由于Rout两端的电压没有超过vth2=1.1V,因此忆阻器的状态不会发生进一步的变化,因此逻辑门输出逻辑“1”;

当输入均为逻辑“2”时,输入忆阻器的阻值和为200Ω,输出忆阻器两端的分压为1.47V,大于阈值电压vth1=0.9V,使得Rout先被置为RM;在Rout被置为RM后,输出忆阻器两端的分压变为1.25V,仍大于阈值电压vth2=1.1V,所以输出忆阻器的状态最终切换为RL,即逻辑门输出逻辑“2”;

情况四:令数学模型中的a=e=10,b=10000,c=d=0.2,阈值电压vth1和vth2分别设为0.9V和1.1V;RH、RM、RL分别为10kΩ、1kΩ、100Ω,且第一忆阻器M1作为第一输入忆阻器,第二忆阻器M2作为第二输入忆阻器,第三忆阻器M3作为输出忆阻器;第一忆阻器M1的负极与直流电源V相连,第一忆阻器M1的正极与第二忆阻器M2的负极相连,第二忆阻器M2的正极与第三忆阻器M3的负极相连,第三忆阻器M3的正极接地;

在数字与门的运行电压VOP为1.5V下:

在运算阶段,当输入均为逻辑“0”时,输入忆阻器的阻值和为20kΩ,输出忆阻器Rout两端分压为0.5V;当输入为“0”和“1”时,输入忆阻器的阻值和为11kΩ,输出忆阻器Rout两端分压为0.714V;当输入为“0”和“2”时,输入忆阻器的阻值和为10.1kΩ,输出忆阻器Rout两端分压为0.746V;在这三种情况下,输出忆阻器Rout两端的电压均未超过阈值0.9V,因此Rout保持初始状态RH不变,即输出逻辑“0”;

当输入均为逻辑“1”时,输入忆阻器的阻值和为2kΩ,输出忆阻器两端的分压为1.25V;当输入为“1”和“2”时,此时输入忆阻器的阻值和为1.1kΩ,输出忆阻器两端的分压为1.35V;在这两种情况下,输出忆阻器Rout两端的电压均超过阈值电压vth1=0.9V,因此RH均会置成RM;因为输出忆阻器的阻值下降,因此器件两端的分压也会减小;前一种情况下,输出忆阻器两端的电压下降为0.5V,后一种情况下则是0.714V;这两种情况下由于Rout两端的电压没有超过vth2=1.1V,因此忆阻器的状态不会发生进一步的变化,因此逻辑门输出逻辑“1”;

当输入均为逻辑“2”时,输入忆阻器的阻值和为200Ω,输出忆阻器两端的分压为1.47V,大于阈值电压vth1=0.9V,使得Rout先被置为RM;在Rout被置为RM后,输出忆阻器两端的分压变为1.25V,仍大于阈值电压vth2=1.1V,所以输出忆阻器的状态最终切换为RL,即逻辑门输出逻辑“2”。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州电子科技大学,未经杭州电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011641816.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top