[发明专利]目标结构的形成方法

权利要求书

1.一种目标结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供用于形成目标结构的待刻蚀基底层，所述待刻蚀基底层包括多个区域，所述目标结构的顶面在所述多个区域上构成曲面轮廓，且所述待刻蚀基底层能够利用半导体刻蚀工艺进行图形化；

在所述待刻蚀基底层上形成凸立于所述待刻蚀基底层上的多个刻蚀阻挡结构，且位于所述多个区域的所述刻蚀阻挡结构具有不同的图形密度；

以所述刻蚀阻挡结构为掩膜，刻蚀所述刻蚀阻挡结构露出的部分厚度的所述待刻蚀基底层，形成凸立于剩余的所述待刻蚀基底层上的凸起部；

去除所述凸起部，形成目标结构，所述目标结构的顶面具有曲面轮廓。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述待刻蚀基底层的多个区域包括中心区域、以及多个环绕所述中心区域且呈同心圆依次排布的环形区域。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，在所述待刻蚀基底层上形成刻蚀阻挡结构的步骤中，沿所述待刻蚀基底层的中心指向边缘的方向上，各区域中的所述刻蚀阻挡结构的图形密度递减。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述刻蚀阻挡结构的步骤中，所述刻蚀阻挡结构为图形线条；或者，所述刻蚀阻挡结构在所述待刻蚀基底层上呈点阵式排布。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除所述凸起部的步骤包括：对所述凸起部以及所述凸起部露出的剩余所述待刻蚀基底层进行无掩膜刻蚀。

6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除所述凸起部的步骤包括：采用刻蚀工艺刻蚀所述凸起部，所述刻蚀工艺具有横向刻蚀速率。

7.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述刻蚀工艺包括湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺。

8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述凸起部后，去除所述凸起部之前，还包括：去除所述刻蚀阻挡结构。

9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，采用各向异性的刻蚀工艺，刻蚀所述刻蚀阻挡结构露出的部分厚度的所述待刻蚀基底层。

10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述待刻蚀基底层上形成刻蚀阻挡结构之前，还包括：

提供若干基底层，所述若干基底层与待刻蚀基底层的材料相同；

在所述若干基底层上分别形成多个刻蚀阻挡结构，所述若干基底层上的图形密度不同；

利用同一刻蚀条件分别刻蚀所述刻蚀阻挡结构露出的所述若干基底层，并分别测量与所述不同图形密度对应的刻蚀深度；

通过多个图形密度以及与所述图形密度相对应的刻蚀深度进行拟合，获得拟合关系式，所述拟合关系式中的自变量为图形密度，因变量为刻蚀深度；

根据所述目标结构的曲面轮廓，确定所述待刻蚀基底层在各区域的刻蚀深度；

根据所述待刻蚀基底层在各区域的刻蚀深度、以及所述拟合关系式，获取各区域对应的图形密度。

11.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述待刻蚀基底层上形成刻蚀阻挡结构的步骤中，所述多个区域中的图形密度与相对应区域中的刻蚀阻挡结构的线宽呈负相关。

12.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡结构的材料包括硬掩膜材料或光刻胶。

13.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，刻蚀所述刻蚀阻挡结构露出的部分厚度的所述待刻蚀基底层的步骤中，所述凸起部的底部线宽与所在区域的刻蚀深度的比值大于1/100。

14.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，刻蚀所述刻蚀阻挡结构露出的部分厚度的所述待刻蚀基底层的步骤中，所述凸起部的顶部线宽小于或等于所述曲面轮廓的横向尺寸的1/20。