[发明专利]一种半导体封装方法及半导体器件在审

专利信息
申请号: 202011642253.0 申请日: 2020-12-31
公开(公告)号: CN112838015A 公开(公告)日: 2021-05-25
发明(设计)人: 乔翀;郑永生;万垂铭;侯宇;肖国伟 申请(专利权)人: 联晶智能电子有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L23/31
代理公司: 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 代理人: 罗毅萍;李小林
地址: 511458 广东省广州市南沙区环*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 封装 方法 半导体器件
【权利要求书】:

1.一种半导体封装方法,其特征在于,包括步骤:

将芯片粘接在基板上,其中基板表面的边缘处有碗杯;

将所述芯片的电极通过键合线与基板的电极连接;

将粘合剂涂敷在所述碗杯的台阶处;

将盖片放置在所述台阶处;

在连片的基板上,对基板完成初步盖片封盖;

将连片的基板放置到真空烘烤机内进行烘烤的同时,对封装腔进行抽真空处理;

在粘合剂初步固化后,再转到烘烤箱进行长时间烘烤。

2.根据权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,所述将连片的基板放置到真空烘烤机内进行真空烘烤的步骤,包括如下步骤:

选取粘合剂粘度较低的时间范围,且在该粘合剂粘度较低时对应的环境温度,对封装腔进行抽真空;

待真空烘烤机腔内的真空度达到预设条件时,将真空烘烤机的温度调高,使真空烘烤机内温度缓慢上升至粘合剂至初步固化的水平。

3.根据权利要求2所述的半导体封装方法,其特征在于,对封装腔进行抽真空时,真空烘烤机腔内的温度为0℃-120℃。

4.根据权利要求2所述的半导体封装方法,其特征在于,所述粘合剂至初步固化的水平时,粘合剂的硬度在Shore A25–Shore D100之间。

5.根据权利要求2所述的半导体封装方法,其特征在于,对封装腔进行抽真空处理包括步骤:

对真空烘烤机进行抽真空,直至所述真空烘烤机的内部气压达到10-103Pa。

6.根据权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,将芯片粘接在基板上包括步骤:

采用共晶工艺或者点胶工艺,将所述芯片粘接在所述基板上。

7.根据权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,将粘合剂均匀涂敷在所述碗杯的台阶处包括步骤:

通过连续吐胶的方式,将粘合剂均匀涂敷在所述碗杯的台阶处;

或通过断点喷涂的方式,将粘合剂涂敷在所述碗杯的台阶处。

8.根据权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,将盖片放置在所述台阶处包括步骤:

利用带有吸取或者放置动作的机台,将盖片放置在所述台阶处。

9.根据权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,在连片的基板上,对基板完成初步盖片封盖包括步骤:

在一个连片基板上,对单颗基板,逐颗完成初步盖片封盖;

或对整个连片,整片完成初步盖片封盖。

10.一种半导体器件,其特征在于,采用如权利要求1-9任一项所述的半导体封装方法封装得到。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联晶智能电子有限公司,未经联晶智能电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011642253.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top