[发明专利]一种半导体封装方法及半导体器件在审
| 申请号： | 202011642253.0 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112838015A | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 乔翀;郑永生;万垂铭;侯宇;肖国伟 | 申请（专利权）人： | 联晶智能电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 罗毅萍;李小林 |
| 地址： | 511458 广东省广州市南沙区环*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 封装 方法 半导体器件 | ||
1.一种半导体封装方法，其特征在于，包括步骤：
将芯片粘接在基板上，其中基板表面的边缘处有碗杯；
将所述芯片的电极通过键合线与基板的电极连接；
将粘合剂涂敷在所述碗杯的台阶处；
将盖片放置在所述台阶处；
在连片的基板上，对基板完成初步盖片封盖；
将连片的基板放置到真空烘烤机内进行烘烤的同时，对封装腔进行抽真空处理；
在粘合剂初步固化后，再转到烘烤箱进行长时间烘烤。
2.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述将连片的基板放置到真空烘烤机内进行真空烘烤的步骤，包括如下步骤：
选取粘合剂粘度较低的时间范围，且在该粘合剂粘度较低时对应的环境温度，对封装腔进行抽真空；
待真空烘烤机腔内的真空度达到预设条件时，将真空烘烤机的温度调高，使真空烘烤机内温度缓慢上升至粘合剂至初步固化的水平。
3.根据权利要求2所述的半导体封装方法，其特征在于，对封装腔进行抽真空时，真空烘烤机腔内的温度为0℃-120℃。
4.根据权利要求2所述的半导体封装方法，其特征在于，所述粘合剂至初步固化的水平时，粘合剂的硬度在Shore A25–Shore D100之间。
5.根据权利要求2所述的半导体封装方法，其特征在于，对封装腔进行抽真空处理包括步骤：
对真空烘烤机进行抽真空，直至所述真空烘烤机的内部气压达到10-103Pa。
6.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，将芯片粘接在基板上包括步骤：
采用共晶工艺或者点胶工艺，将所述芯片粘接在所述基板上。
7.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，将粘合剂均匀涂敷在所述碗杯的台阶处包括步骤：
通过连续吐胶的方式，将粘合剂均匀涂敷在所述碗杯的台阶处；
或通过断点喷涂的方式，将粘合剂涂敷在所述碗杯的台阶处。
8.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，将盖片放置在所述台阶处包括步骤：
利用带有吸取或者放置动作的机台，将盖片放置在所述台阶处。
9.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在连片的基板上，对基板完成初步盖片封盖包括步骤：
在一个连片基板上，对单颗基板，逐颗完成初步盖片封盖；
或对整个连片，整片完成初步盖片封盖。
10.一种半导体器件，其特征在于，采用如权利要求1-9任一项所述的半导体封装方法封装得到。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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