[发明专利]一种IGBT用硅衬底抛光片的制备方法有效
| 申请号： | 202011642678.1 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112735942B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 钟耕杭;张健华;程凤伶;徐继平;宁永铎;边永智;颜俊尧;李钧宏;连庆伟;崔彬;李英涛 | 申请（专利权）人： | 有研半导体硅材料股份公司;山东有研半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/205;H01L29/10;H01L29/739;C30B15/00;C30B28/12;C30B29/06;C30B30/04;B28D5/02 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 101300 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 衬底 抛光 制备 方法 | ||
1.一种IGBT用硅衬底抛光片的制备方法，该制备方法包括的工序依次为：硅单晶生长→晶体检测→滚磨→多线切割→倒角→双面研磨→化学腐蚀→POLY薄膜生长→中间检测→化学机械抛光→清洗→出厂检验，其特征在于，
在所述硅单晶生长工序中，在拉晶过程中采用水平磁场，磁场强度为1000-5000高斯，磁场形状为马鞍形，晶转为5-15rpm，埚转为0.1-3rpm，并且晶体生长时控制液面位置波动范围为±0.5mm；
在所述倒角工序中，进行四次倒角加工，先使用1000#倒角轮倒角2次，R值控制在0.21-0.23mm；再使用3000#倒角轮倒角2次，R值控制在0.17-0.19mm；
在所述POLY薄膜生长工序中，LPCVD的工艺温度区间为600-630℃，实际沉积区域温度梯度小于等于0.5％，LPCVD的气体流量区间为50-200mL/min，实际沉积区域气体浓度梯度小于等于5％；在POLY薄膜生长过程中，载具旋转，载具的转速为0.5-3rpm，沉积的POLY薄膜厚度为6000-10000埃。
2.根据权利要求1所述的IGBT用硅衬底抛光片的制备方法，其特征在于，在所述倒角工序中，参考面加工速度为1-3mm/s，最终倒角幅长控制在500-700μm。
3.根据权利要求1所述的IGBT用硅衬底抛光片的制备方法，其特征在于，在POLY薄膜生长过程中，洁净区宽度大于20μm，抛光片WARP小于20μm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于有研半导体硅材料股份公司;山东有研半导体材料有限公司，未经有研半导体硅材料股份公司;山东有研半导体材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011642678.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于机械臂的柑橘自动化采摘方法及装置
- 下一篇：电子设备和耳机收纳组件
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
