[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

衬底，所述衬底包括基底衬底、设置在基底衬底上的第一半导体层以及设置在第一半导体层上的第二半导体层；

在衬底上形成的沿同一直线延伸的第一鳍状结构和第二鳍状结构，第一鳍状结构和第二鳍状结构中的每一个至少包括第二半导体层；

在所述直线两侧绕第一鳍状结构和第二鳍状结构形成的第一隔离部；

基于第一鳍状结构在衬底上形成的第一鳍式场效应晶体管“FinFET”和基于第二鳍状结构在衬底上形成的第二FinFET，其中，第一FinFET包括在第一隔离部上形成的与第一鳍状结构相交的第一栅堆叠，第二FinFET包括在第一隔离部上形成的与第二鳍状结构相交的第二栅堆叠；以及

第一鳍状结构与第二鳍状结构之间、与第一鳍状结构和第二鳍状结构相交从而将第一鳍状结构和第二鳍状结构彼此隔离的第二隔离部，其中第二隔离部与第一栅堆叠和第二栅堆叠中至少之一平行延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一隔离部的顶面在第二半导体层的顶面以下或在第二半导体层的底面以下。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，在沿所述直线截取的纵剖面中，第二隔离部包括上部和下部，下部相对于上部的底端相对扩大。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，在所述纵剖面中，第二隔离部的上部的顶端相对于底端相对扩大。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，第二隔离部的下部相对于上部的底端形成台阶部，该台阶部与第二半导体层的底面共面。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，第二隔离部从上向下穿过第二半导体层，其中，第二隔离部位于第一鳍状结构正下方的部分的顶面与第二半导体层的底面相接，且第二隔离部位于第二鳍状结构正下方的部分的顶面与第二半导体层的底面相接。

7.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，在所述直线的延伸方向上，第二隔离部位于第一鳍状结构正下方的部分延伸至第一FinFET的源/漏区的位置，且第二隔离部位于第二鳍状结构正下方的部分延伸至第二FinFET的源/漏区的位置。

8.根据权利要求3至5之一所述的半导体装置，还包括：

在第一鳍状结构中第二半导体层下方沿第一鳍状结构延伸的第三隔离部和/或在第二鳍状结构中第二半导体层下方沿第二鳍状结构延伸的第四隔离部。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，以下至少之一成立：

在沿所述直线截取的纵剖面中，第三隔离部与第一栅堆叠在竖直方向上是中心对准的；以及

在沿所述直线截取的纵剖面中，第四隔离部与第二栅堆叠在竖直方向上是中心对准的。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，以下至少之一成立：

第三隔离部的顶面与第一鳍状结构中第二半导体层的底面相接；

第四隔离部的顶面与第二鳍状结构中第二半导体层的底面相接。

11.根据从属于权利要求4的权利要求8所述的半导体装置，其中，第三隔离部、第四隔离部的顶面与所述台阶部共面。

12.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，以下至少之一成立：

在所述直线的延伸方向上，第三隔离部延伸至第一FinFET的源/漏区的位置；

在所述直线的延伸方向上，第四隔离部延伸至第二FinFET的源/漏区的位置。