[发明专利]半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202011643407.8 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112802752A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 魏凯利;黄康荣;宁润涛 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 510000 广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上形成有外延层，所述外延层内形成有沟槽，在所述沟槽内形成一设定厚度的第一氧化层；
去除部分所述第一氧化层；
在所述沟槽的侧壁及所述第一氧化层上形成第二氧化层；
在所述沟槽内形成栅极。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，采用次常压化学气相沉积工艺形成所述第一氧化层。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，通过湿法刻蚀去除部分所述第一氧化层。
4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一氧化层的设定厚度为沟槽深度的60％～80％。
5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，去除部分所述第一氧化层后，剩余所述第一氧化层的厚度为所述沟槽深度的10％～30％。
6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一氧化层的材料和所述第二氧化层的材料相同。
7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一氧化层的材料和所述第二氧化层的材料均包括氧化硅。
8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第二氧化层延伸覆盖所述沟槽两侧的所述衬底的表面。
9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述沟槽内形成栅极包括：
在所述沟槽内填充栅极材料层，并延伸覆盖所述沟槽两侧的所述衬底的表面；
对所述栅极材料层进行平坦化工艺，以在所述沟槽内形成栅极。
10.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，还包括：
进行第一离子注入工艺在所述外延层内形成体区，进行第二离子注入工艺在所述体区的表面形成源区。
11.如权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述外延层为低掺杂的N型外延层，所述体区为低掺杂的P型体区，所述源区为高掺杂的N型源区。
12.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述沟槽内形成一设定厚度的第一氧化层之前还包括：
进行热氧化生长工艺，在所述外延层的表面形成牺牲氧化层；
采用湿法刻蚀工艺去除所述牺牲氧化层。
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