[发明专利]一种高效异质结电池结构及其制备方法

权利要求书

1.一种高效异质结电池结构，其特征在于，包括：

中间电池结构，包括上下相对设置的第一表面与第二表面，所述中间电池结构中设有n型单晶硅层；

正面电池结构，堆叠设置于所述第一表面上，所述正面电池结构包括沿着远离所述第一表面方向依次堆叠设置的正面本征非晶硅层、p型掺杂氢化氧化硅层以及p型掺杂非晶硅层；

以及背面电池结构，所述中间电池结构堆叠设置于所述背面电池结构上、所述第二表面贴合所述背面电池结构，所述背面电池结构包括沿着远离所述第二表面方向依次堆叠设置的背面本征非晶硅层、n型掺杂氢化氧化硅层以及n型掺杂非晶硅层；

其中，所述p型掺杂非晶硅层、所述n型掺杂非晶硅层两者的厚度范围均为1～5nm，所述p型掺杂氢化氧化硅层、所述n型掺杂氢化氧化硅层两者的厚度范围均为10～20nm。

2.根据权利要求1所述的高效异质结电池结构，其特征在于，所述p型掺杂非晶硅层、所述n型掺杂非晶硅层两者的厚度均为3nm，所述p型掺杂氢化氧化硅层、所述n型掺杂氢化氧化硅层两者的厚度均为12nm。

3.根据权利要求1或2所述的高效异质结电池结构，其特征在于，所述正面电池结构还包括正面TCO层，沿着远离所述第一表面的方向堆叠设置于所述p型掺杂非晶硅层上；所述背面电池结构还包括背面TCO层，沿着远离所述第二表面的方向堆叠设置于所述n型掺杂非晶硅层上。

4.根据权利要求3所述的高效异质结电池结构，其特征在于，所述正面电池结构还包括正面电极，设于所述正面TCO层上；所述背面电池结构还包括背面电极，设于所述背面TCO层上。

5.根据权利要求4所述的高效异质结电池结构，其特征在于，所述p型掺杂氢化氧化硅层、所述p型掺杂非晶硅层两者的的掺杂元素均为硼、铝、镓元素的一种或多种；所述n型掺杂氢化氧化硅层、所述n型掺杂非晶硅层的掺杂元素均为磷。

6.根据权利要求5所述的高效异质结电池结构，其特征在于，所述正面TCO层、所述背面TCO层两者均为金属氧化物层和/或金属氧化物为主要成分的掺杂组成层，所述氧化物为氧化锌、氧化铟、氧化钛、氧化钨中的一种或多种；所述正面电极、所述背面电极两者的材料均为金、银、铜、铝中的一种或多种。

7.一种高效异质结电池结构的制备方法，其特征在于，包括步骤：

步骤A：对硅片进行制绒，制备出金字塔底座边长1～10μm的绒面结构，形成n型单晶硅层；

步骤B：在所述n型单晶硅层的第一表面进行本征非晶硅沉积，形成正面本征非晶硅层；

步骤D：在所述正面本征非晶硅层上进行p型掺杂氢化氧化硅沉积，形成p型掺杂氢化氧化硅层；

步骤F：在所述p型掺杂氢化氧化硅层上进行p型掺杂氢化非晶硅沉积，形成p型掺杂氢化非晶硅层；

步骤G：在所述异质结电池结构翻转完成后，在所述n型单晶硅层的第二表面进行本征非晶硅沉积，形成背面本征非晶硅层；其中，所述第一表面与所述第二表面为所述n型单晶硅层的上下相对设置的两个表面；

步骤I：在所述背面本征非晶硅层上进行n型掺杂氢化氧化硅沉积，形成n型掺杂氢化氧化硅层；

步骤K：在所述n型掺杂氢化氧化硅层上进行n型掺杂氢化非晶硅沉积，形成n型掺杂氢化非晶硅层。

8.根据权利要求7所述的高效异质结电池结构的制备方法，其特征在于，

在步骤D之前，所述方法还包括：

步骤C：对所述正面本征非晶硅层进行第一次氢等离子处理；

在步骤D之后，所述方法还包括：

步骤E：对所述p型掺杂氢化氧化硅层进行第二次氢等离子处理；

在步骤I之前，所述方法还包括：

步骤H：对所述背面本征非晶硅层进行第三次氢等离子处理；

在步骤I之后，所述方法还包括：

步骤J：对所述n型掺杂氢化氧化硅层进行第四次氢等离子处理。