[发明专利]一种用于制造半导体芯片的方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体芯片的方法，所述方法包括：对半导体衬底进行结构化以产生多个半导体芯片，使得每个半导体芯片包括第一主面和多个侧面，在透光支撑件上涂敷包括光吸收剂和热可分解树脂的光致发热转换层，在所述晶片上的凹凸不平的所述电路图形中填充液体光可固化的粘合剂，在所述晶片上固化所述光可固化的粘合剂形成粘结层，在每个半导体芯片的第一主面与各侧面之间的过渡部位形成凹处，将金属层布置到第二主面上和布置到所述多个侧面上，其中所述金属层不被沉积到所述凹入内的弯曲表面上。

2.根据权利要求1所述的一种用于制造半导体芯片的方法，其特征在于：在切割该研磨的所述半导体晶片之前，芯片键合带被固定到所述半导体晶片。

3.根据权利要求2所述的一种用于制造半导体芯片的方法，其特征在于：所述光致发热转换层包含炭黑和/或透明的填料。

4.根据权利要求1所述的一种用于制造半导体芯片的方法，其特征在于：在真空中执行通过光可固化粘合剂层叠所述半导体晶片和所述透光支撑件。

5.根据权利要求1所述的一种用于制造半导体芯片的方法，其特征在于：所述形成凹入包括执行蚀刻步骤，所述蚀刻步骤包括各向同性蚀刻步骤，对所述半导体衬底进行结构化包括执行蚀刻步骤，所述蚀刻步骤包括各向异性蚀刻步骤。

6.根据权利要求5所述的一种用于制造半导体芯片的方法，其特征在于：所述半导体晶片被研磨至50μm或以下的厚度。

7.根据权利要求1所述的一种用于制造半导体芯片的方法，其特征在于：对所述半导体衬底进行研磨，在对半导体衬底进行结构化之后对所述半导体芯片进行研磨。